CryptoMemory 64 Kbit
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
数据保留时间-最小值 | 10 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1011CCCC |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.271 mm |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64KX1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.334 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
写保护 | SOFTWARE |
Base Number Matches | 1 |
AT88SC6416C-PI | AT88SC6416C | AT88SC6416C-MB | AT88SC6416C-MF | AT88SC6416C-SI | AT88SC6416C-WI | AT88SC6416C-CI | |
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描述 | CryptoMemory 64 Kbit | CryptoMemory 64 Kbit | CryptoMemory 64 Kbit | CryptoMemory 64 Kbit | CryptoMemory 64 Kbit | CryptoMemory 64 Kbit | CryptoMemory 64 Kbit |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 | - |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) | - | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | DIP | - | CARD | - | SOIC | WAFER | - |
Reach Compliance Code | compliant | - | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | - |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | - | R-XXMA-X8 | - | R-PDSO-G8 | X-XUUC-N | - |
内存密度 | 65536 bit | - | 65536 bit | - | 65536 bit | 65536 bit | - |
内存集成电路类型 | EEPROM | - | EEPROM | - | EEPROM | EEPROM | - |
内存宽度 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 | - |
功能数量 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 | - |
字数 | 65536 words | - | 65536 words | - | 65536 words | 65536 words | - |
字数代码 | 64000 | - | 64000 | - | 64000 | 64000 | - |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
最高工作温度 | 85 °C | - | 70 °C | - | 85 °C | 85 °C | - |
组织 | 64KX1 | - | 64KX1 | - | 64KX1 | 64KX1 | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | UNSPECIFIED | - | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | - |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | UNSPECIFIED | - |
封装形式 | IN-LINE | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | SMALL OUTLINE | UNCASED CHIP | - |
并行/串行 | SERIAL | - | SERIAL | - | SERIAL | SERIAL | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | 240 | NOT SPECIFIED | - |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - |
串行总线类型 | I2C | - | I2C | - | I2C | I2C | - |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | - |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V | - | 2.7 V | 2.7 V | - |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | - | 3 V | 3 V | - |
表面贴装 | NO | - | NO | - | YES | YES | - |
技术 | CMOS | - | CMOS | - | CMOS | CMOS | - |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | COMMERCIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | - |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | UNSPECIFIED | - | GULL WING | NO LEAD | - |
端子位置 | DUAL | - | UNSPECIFIED | - | DUAL | UPPER | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | 30 | NOT SPECIFIED | - |
Base Number Matches | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
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