Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> USB0803C-A

文档预览

USB0803C-A: 产品描述500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小76KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

下载文档详细参数选型对比全文预览

USB0803C-A概述

500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

USB0803C-A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	SOD
包装说明	PLASTIC, SOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW CAPACITANCE
最小击穿电压	4 V
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	500 W
元件数量	4
端子数量	8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	3.3 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

USB0803C-A thru USB0824C-A, e3

Bidirectional TVSarray ™

SCOTTSDALE DIVISION

DESCRIPTION

This Transient Voltage Suppressor (TVS) array is packaged in an SO-8 configuration

giving protection to 2 Bidirectional data or interface lines. It is designed for use in

applications where very low capacitance protection is required at the board level from

voltage transients caused by electrostatic discharge (ESD) as defined in IEC 61000-4-2,

electrical fast transients (EFT) per IEC 61000-4-4 and effects of secondary lightning. It is

also available with either Tin-Lead plated terminations or as RoHS Compliant with

annealed matte-Tin finish by adding an “e3” suffix to the part number*.

Using the schematic on the second page, pins 1 & 2 are tied together for the first

protected line, and pins 7 & 8 are tied together to the ground. The same would then

occur for a second protected line where pins 3 & 4 are tied together and pins 5 & 6 are

tied together to the ground. These may also be switched in polarity connections since

the electrical features are the same in each antiparallel (opposite facing) leg when the

pins are tied together in this manner for bidirectional protection.

These TVS arrays have a peak power rating of 500 watts for an 8/20

μsec

pulse. This

array is suitable for protection of sensitive circuitry consisting of TTL, CMOS DRAM’s,

SRAM’s, HCMOS, HSIC microprocessors,

UNIVERSAL SERIAL BUS (USB)

and I/O

transceivers. The USB08XXC-A product provides board level protection from static

electricity and other induced voltage surges that can damage or upset sensitive circuitry.

IMPORTANT:

For the most current data, consult

MICROSEMI’s

website:

http://www.microsemi.com

APPEARANCE

WWW .

Microsemi

SO–8

FEATURES

•

Protects up to 2 bi-directional lines

Surge protection per IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4

Provides electrically isolated protection

UL 94V-0 Flammability Classification

RoHS Compliant devices available by adding “e3” suffix

LOW CAPACITANCE 5 pF per line pair

LOW LEAKAGE

•

APPLICATIONS / BENEFITS

EIA-RS485 data rates:

5 Mbs

10 Base T Ethernet

USB date rate: 900 Mbs

Tape & Reel per EIA Standard 481

13 inch reel; 2,500 pieces (OPTIONAL)

Carrier tubes; 95 pcs (STANDARD)

MAXIMUM RATINGS

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Peak Pulse Power: 500 watts (8/20 µs, Figure 1)

Pulse Repetition Rate: < .01%

Solder Temperature: 260°C for 10 s (maximum)

MECHANICAL AND PACKAGING

•

Molded SO-8 Surface Mount

•

Weight 0.066 grams (approximate)

•

Marking: Logo, device marking code*, date code

•

Pin #1 defined by dot on top of package

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

STAND OFF

VOLTAGE

VOLTS

MAX

USB0803C-A

USB0805C-A

USB0812C-A

USB0815C-A

USB0824C-A

U3CA

U5CA

U12CA

U15CA

U24CA

3.3

5.0

12.0

15.0

24.0

BREAKDOWN

VOLTAGE

@1 mA

VOLTS

MIN

6.0

13.3

16.7

26.7

CLAMPING

VOLTAGE

@ 1 Amp

(Figure 2)

VOLTS

MAX

10.8

CLAMPING

VOLTAGE

@ 5 Amp

(Figure 2)

VOLTS

MAX

STANDBY

CURRENT

@ V

µA

MAX

200

CAPACITANCE

(f=1 MHz)

@0V

MAX

TEMPERATURE

COEFFICIENT

OF V

VBR

PART

NUMBER

DEVICE

MARKING

USB08xxC-A, e3

mV/°C

MAX

-5

Device marking has an e3 suffix added for RoHS Compliant option, e.g. U3CAe3, U5CAe3, U12CAe3, U15CAe3, or

U24CAe3

2005

6-29-2005 REV H

Microsemi

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

Page 1

USB0803C-A相似产品对比

	USB0803C-A	USB0812C-A	USB0805C-A	USB0815C-A	USB0824C-A
描述	500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOD	SOD	SOD	SOD	SOD
包装说明	PLASTIC, SOP-8	R-PDSO-G8	PLASTIC, SOP-8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	unknow	compli	unknow	compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW CAPACITANCE	LOW CAPACITANCE	LOW CAPACITANCE	LOW CAPACITANCE	LOW CAPACITANCE
最小击穿电压	4 V	13.3 V	6 V	16.7 V	26.7 V
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W
元件数量	4	4	4	4	4
端子数量	8	8	8	8	8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	3.3 V	12 V	5 V	15 V	24 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	Microsemi	-	Microsemi	-	Microsemi
最大钳位电压	-	19 V	-	24 V	43 V

推荐资源

关于MAP文件问题: 我的MAP里面有个地方产生啦多余的4KRAM,谁知道是什么问题吗?----------------------------------------------------------======================CODERelativesegment,address:0800246C-08 ......; chrisclover stm32/stm8

这四种方法可以让你的开关电源适配器更安全: 在开关电源适配器的新产品研发设计过程中，工程师们通常会为所设计的新产品添加一些保护措施，以此来避免开关电源适配器在使用过程中出现短路或元件损坏，使其工作寿命缩短。在今天的文章中 ......; 木犯001号电源技术

DSP的PSC如何配置: 这个程序大概什么意思，逐句求解一下！ /*Enable Function for PSC0*/ void PSC0_lPSC_enable(unsigned int PD, unsigned int LPSC_num) { *(unsigned int*) (PSC0_MDCTL+4*LPSC_num) = ......; a55202842 DSP 与 ARM 处理器

请教做过“倒车影像系统”的兄弟: 我现在在做毕业设计，涉及到倒车影像中的“倒车轨迹的绘制”（想把不同转角下的车辆倒车轨迹都绘制好放入flash中供单片机调用）。想了好几天，没有合适的办法绘制倒车轨迹，请指点一二。谢谢。 ......; 17584681 嵌入式系统

TI产品选型指南: 69320...; polin680 模拟电子

如何使按钮字体显示成这种颜色？: 373515 请问高手，如何使按钮字体显示成这种颜色？谢谢！ ...; chenbingjy 实时操作系统RTOS

2012信息化新疑点：医疗大数据也是谎言?

　　关于大数据的“惊天谎言”一直传闻不休。无论你走到哪里，都无处不在。在Google搜索这个词组，搜索结果超过13亿条。它甚至在维基百科拥有专门的条目。来自全球第一大应用软件商SAP公司的CTO提出观点。文中从专业的角度分析了大数据的处理方式，并通过comScore 和Airtel Vodafone公司为例说明了大数据的使用方法和方案。　　《福布斯》杂志发表了一篇题为《大数据是个大谎言》的...[详细]
航天测控电子设备电路板故障诊断技术

　　随着科学技术的快速发展，特别是数字技术及各种超大规模集成电路的广泛应用，电子装备尤其是军用电子装备结构越来越复杂，功能越来越完善，自动化程度也越来越高。虽然电子系统的性能得到提高，但是对测试和维修保障也产生了测试流程复杂、测试时间长、维修保障困难、维修费用高等诸多问题，这些问题严重影响了电子设备的完好性和寿命周期。　　电路板故障诊断技术，可以快速、准确地对电子系统是否异常进行判断，...[详细]
一种手持公交收费及信息统计装置的设计与实现

目前城市的交通拥堵现象比较严重。据有关新闻报道：在我国，交通拥堵现象己经从北京、上海、广州等特大城市扩展到一些大中城市：由城市内部局部的“点”拥堵，扩展成局部的“面”拥堵。在居民出行的早晚高峰时，拥堵现象更为明显，城市道路处于明显的饱和状态。据有关部门统计，我国因城市交通的不便，造成的经济损失每年都能达上千亿元。世界各国都非常重视公共交通的发展在解决城市交通拥挤问题上的作用，公交优先的原则也已成...[详细]
通过示波器探头响应改善MIPI设计裕量

移动行业处理器接口(MIPI)联盟是负责推广移动设备软硬件标准化的组织。它已经发布了D-PHY规范，该规范可在芯片与设备之间的通信链路上实现高达1.5Gbps(1,500,000,000比特/秒)的数据传输率。MIPI联盟还计划在近期发布M-PHY规范，进一步提高数据传输率，达到大约6Gbps的水平。随着需要更高数据吞吐量的移动应用和特性不断出现，对传输速率的要求也相应提高。这些应用和特性包...[详细]
全球半导体业绩4年后破4000亿美元

根据最新的预测，2016年全球半导体市场营业额将突破4000亿美元大关，达4116亿美元（约12.34兆元台币），创下半导体市场新里程碑。回顾半导体市场历史，1980年全球半导体产业的营业额首度达100亿美元，并于1983年站稳百亿美元营业额，自此之后，半导体产业快速成长，其中偶有1~2年拉回，产业趋势仍是快速向上成长。 10年站稳2000亿门槛 1994年半导体产业创下新的里程碑，全...[详细]
首座450mm晶圆厂2017年投产

SEMI 的晶圆厂工具供应商贸易部门资深分析师Christian Dieseldorff在周一的Semicon West演讲中表示，首家使用450mm晶圆生产半导体的晶圆厂预计将在2017年开始运作。 Dieseldorff 预测，2017年将有三座450mm晶圆开始运转。他同时预估，届时生产IC的晶圆厂总数将从今年的464座下降至441座。 2007和2017年开始运转或开始生产的晶...[详细]
基于IRS2530D的4级智能可调光荧光灯电子镇流器电路设计

　　 1 关于IRS2530D和PIC12F629 　　1）IRS2530D简介　　IRS2530D采用8引脚 DIP 或8引脚 SOIC 封装，IRS2530D的引脚图如图1所示， IRS2130D 的外形封装图如图2所示，IRS2530D的内部功能框图如图3所示，IRS2530D的引脚功能如表1所示。图1 IRS2530D的引脚图图2 ...[详细]
中国移动青岛首次演示TD-LTE

中国移动在青岛展示TD-LTE即拍即传业务，这显示其已在青岛布局TD-LTE网络。新浪科技讯 7月10日消息，在青岛举行的“2012中国国际消费电子博览会”显示，中国移动(微博)已在青岛开始演示TD-LTE技术试验网。此前的2011年，中国移动在上海、杭州、南京、广州、深圳、厦门6个城市启动TD-LTE规模技术展示工作，今年新增北京、天津、青岛三个试验城市，中国移动预计到2012...[详细]
三星研发全球首款正方形显示屏 9月份上市

　　据日本媒体报道，日前韩国三星电子在日本发布了全球首款正方形液晶显示屏。三星研发全球首款正方形显示屏三星研发全球首款正方形显示屏　　据了解，该款液晶显示屏尺寸为21.6寸，画面比为1:1，像素为960x960。这款显示屏边框宽度仅为5.5mm，几台结合起来的时候，几乎形成一个大的屏幕显示屏。　　三星日本团队显示器营业部部长宫田隆表示，此前的显示器大多是长方形的，...[详细]
基于μC/OS-Ⅱ和ARM处理器的高精度超声波测距系统设计

1 引言超声波指向性强，能量消耗缓慢，在介质中传播的距离较远，因而用于距离测量。利用超声波检测往往较迅速、方便、计算简单、易于实时控制，且测量精度能达到工业实用要求，因此在移动机器人的研制中得到广泛应用。移动机器人要在未知和不确定环境下运行，必须具备自动导航和避障功能。超声波传感器以其信息处理简单、速度快和价格低的特点广泛用作移动机器人的测距传感器，实现避障、定位、环境建模和导航等功能。 ...[详细]
半导体设备营收明年逾460亿美元

国际半导体设备材料产业协会（SEMI）昨（10）日公布半导体设备资本支出的年中预测报告（SEMI Capital Equipment Forecast），预估2012年全球半导体设备营收规模将达到423.8亿美元，2013年将成长至467.1亿美元。　受惠平板电脑、智慧型手机与行动装置等消费性电子商品亮丽表现，半导体设备的采购需求仍将持续。SEMI在报告中指出，2011年半...[详细]
医疗电子索尼将推出最多可将四幅医疗影像合成为一个画面的设备

索尼将于2012年9月17日开始销售最多可将四幅医疗影像合成一个画面，并能够经由网络发送合成影像的“影像多路复用器VMI-40MD”，该产品主要用于手术室内影像的实时共享以及远程医疗支援等用途，预计市场价格为110万日元（约8.8万元人民币）。该设备曾在2012年4月举行的“2012国际医用图像综合展（ITEM 2012）”上曾参考展示过。　　医疗现场存在实时共享拍摄手术部位的手...[详细]
联发科多元布局力争触控IC市场

　　为争抢触控市场，联发科（MTK ）转投资的大陆触控IC厂汇顶已对外发表最新采用单层ITO和多点电容式触控方案，与即将并购的晨星(MStar)互别苗头，亦代表多元布局触控IC市场。　　无论是笔记本电脑、平板电脑或智能手机等终端产品，触控俨然已成标准配备，联发科积极展开布局，去年即不断加码中国大陆触控IC公司汇顶科技，累计投资金额达409万美元（约新台币约1.24亿元），持股比重逾三成。 ...[详细]
分析师：英特尔注资ASML凸显设备商处境艰难

　　新浪科技讯 7月10日上午消息，针对英特尔今天宣布将向荷兰电子芯片设备制造商阿斯麦ASML注资，iSuppli半导体首席分析师顾文军对新浪科技表示，这一方面凸显芯片设备产业处境艰难，同时也意味着设备在芯片技术的作用越来越重要。　　英特尔周一称，该公司已经同意收购阿斯麦的10%股份，未来计划进一步收购后者5%的股份，但需经过股东的批准方可进行。预计英特尔收购阿斯麦15%股份的总价将为31亿...[详细]
基于51单片机的DS18B20温度测量实验

实验任务用一片DS18B20构成测温系统，测量的温度精度达到0.1度，测量的温度的范围在－20度到＋50度之间，用4位数码管显示出来。 DPY-1实验板连接用排线把JP-CODE连到JP8是，注意：a接P0.0;b接P0.1;c接P0.3…… 把JP-CS连到JP14上,注意:4H接P2.4;3H接P2.5;2H接P2.6;1H接P2.7; 连接好DS18B20注意极性不要弄反，否则...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多