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CMPT6520: 产品描述COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小97KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMPT6520概述

COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

CMPT6520规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	40 MHz

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CMPT6517 NPN

CMPT6520 PNP

COMPLEMENTARY SILICON

HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

Central

Semiconductor Corp.

SOT-23 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT6517,

CMPT6520 types are complementary silicon

transistors manufactured by the epitaxial planar

process, epoxy molded in a surface mount

package, designed for high voltage driver and

amplifier applications.

MARKING CODE:

CMPT6517: C1Z

CMPT6520: C2Z

SYMBOL

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Base Current

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

TJ,Tstg

-65 to +150

357

VCBO

VCEO

VEBO

350

5.0

500

250

350

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICBO

VCB=250V

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

VBE(ON)

hFE

VEB=5.0V (CMPT6517)

VEB=4.0V (CMPT6520)

IC=100µA

IC=1.0mA

IE=10µA (CMPT6517)

IE=10µA (CMPT6520)

IC=10mA,

IC=20mA,

IC=30mA,

IC=50mA,

IC=10mA,

IC=20mA,

IB=1.0mA

IB=2.0mA

IB=3.0mA

IB=5.0mA

IB=1.0mA

IB=2.0mA

350

6.0

5.0

MAX

UNITS

0.30

0.35

0.50

1.0

0.75

0.85

0.90

2.0

IC=30mA, IB=3.0mA

IC=10V, IC=100mA

VCE=10V, IC=1.0mA

VCE=10V, IC=10mA

R4 (26-September 2002)

CMPT6520相似产品对比

	CMPT6520	CMPT6517
描述	COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS	COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	40 V	40 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15	15
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	40 MHz	40 MHz

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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