Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CBR50-080P

文档预览

CBR50-080P: 产品描述50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小82KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

下载文档详细参数选型对比全文预览

CBR50-080P概述

50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS

CBR50-080P规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	PLASTIC, CASE FP, 4 PIN
针数	4
制造商包装代码	CASE FP
Reach Compliance Code	unknown
最小击穿电压	800 V
外壳连接	ISOLATED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JESD-30 代码	S-PUFM-D4
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	400 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	50 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CBR50-020P SERIES

50 AMP

SILICON BRIDGE RECTIFIER

200 thru 1000 VOLTS

Central

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR50-020P

series types are silicon single phase full wave

bridge rectifiers designed for general purpose

applications. The molded epoxy case has a built in

metal baseplate for heat sink mounting.

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

CASE FP

MAXIMUM RATINGS

(TA=25°C)

SYMBOL

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TC=55°C)

Peak Forward Surge Current

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

RMS Isolation Voltage (case to lead)

VRRM

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

Viso

CBR50- CBR50-

040P

020P

200

140

400

280

CBR50- CBR50- CBR50-

060P

080P

100P

600

420

400

-65 to +150

1.5

2500

800

560

1000

700

UNITS

°C

°C/W

Vac

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

TYP

VR=Rated VRRM, TC=25°C

VR=Rated VRRM, TC=125°C

IF=25A

VR=4.0V, f=1.0MHz

300

MAX

5.0

500

1.1

UNITS

µA

R0 (31-August 2004)

CBR50-080P相似产品对比

	CBR50-080P	CBR50-020P	CBR50-040P	CBR50-060P	CBR50-100P
描述	50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS	50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS	50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS	50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS	50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	PLASTIC, CASE FP, 4 PIN	S-PUFM-D4	S-PUFM-D4	S-PUFM-D4	PLASTIC, CASE FP, 4 PIN
针数	4	4	4	4	4
制造商包装代码	CASE FP	CASE FP	CASE FP	CASE FP	CASE FP
Reach Compliance Code	unknown	_compli	_compli	_compli	unknown
最小击穿电压	800 V	200 V	400 V	600 V	1000 V
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	S-PUFM-D4	S-PUFM-D4	S-PUFM-D4	S-PUFM-D4	S-PUFM-D4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	400 A	400 A	400 A	400 A	400 A
元件数量	4	4	4	4	4
相数	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V	200 V	400 V	600 V	1000 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1	1	1	1

推荐资源

提问:cache中的线性地址是什么意思？: 如题...; converter 嵌入式系统

INTEL IXP435处理器内核开发问题: 我在做适应INTEL IXP435处理器相应的内核移植工作，采用linux2.6.20.3.tar.bz2内核，可是此内核不支持此处理器，所以需要作相关处理器的文档开发，请指导思路--如何进行相关内核开发？非常感谢 ......; xhkhjp 嵌入式系统

stm32,调试stop模式的问题: 加入了DBGMCU_Config(DBGMCU_STOP, ENABLE); //stop模式下的跟踪在__WFI执行过后马上就到了下一条语句，请问问题有可能出在什么地方？？...; ganggl stm32/stm8

SEED-DEC6713 MCASP和AIC23B的问题: 大家好，为什么我在连接AIC23B和6713时，设置AIC23B为Master,然后MCASP总是无法使能位时钟，总是停留在 MCASP_FSETS(GBLCTL1,XCLKRST,ACTIVE); while(!MCASP_FGET(GBLCTL1,XCLKRST)); 这一句 ......; chhtx DSP 与 ARM 处理器

嘎嘎，谁见过这种情况：CPU is off: 今天调试的过程中，暂停后再全速，居然跳出一个对话框。 “CPU is off（Low Power Mode） and interrupt are disa××ed! Cannot excute Step/Go” 难道是我进了LPM3模式跳不出来了？顺 ......; koujuan 微控制器 MCU

华为GSM-R解决方案: 华为GSM-R系列产品完全符合EIRENE规范，是标准的GSM-R产品；基于大规模成熟应用的GSM平台，支持的网络功能包括话音业务，数据业务，呼叫相关业务，铁路特有业务等。华为公司提供全套GSM-R解决 ......; shuiping 无线连接

支撑产业的落后是半导体产业发展瓶颈

　　没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业，只有半导体支撑产业形成完善的配套体系，才能推动半导体行业高速发展。　　我国在“十一五”规划中特别提到，要发展我国自己的半导体产业。我国半导体行业国家“十一五”发展目标包括：集成电路产业年均增长率在30%以上，到2010年将实现3000亿元的销售额，约占当时世界集成电路市场份额的8%。制造业的生产技术达到12英寸、90纳米-65纳米水平。...[详细]
DSP与模拟技术加速医疗电子发展

　　TI认为医疗器械在未来几年内的最大变化就是无线连接技术。它包括含远程病人监控在内的不同应用，其中远程病人监控功能将帮助医务人员无需让病人走进医院即可搜集监测其相关信息。无线连接技术与可植入设备的结合将使功能正常的大脑绕过脊椎断开部位直接连接并支配功能正常的四肢。　　应用无线连接技术可对药物释放系统进行监测、控制和优化。总之，无线连接技术将使医疗器械与决策者之间做到信息共享。可植入设备是另...[详细]
GE和Centrak发布病床级实时定位系统

　　GE医疗技术公司与宾州Newton 的CenTrak公司合作，宣布开发成功新的RFID技术可以把房间或者场地进行分割，建立所谓RFID "虚拟墙"。　　新开发的技术是为了适合医院跟踪移动医疗器械的需要，医院希望有RFID标签医疗器械的定位准确度能够达到房间的每一个部分。这种亚房间级的识别能力对医院的某些区域十分重要，因为它可以大大提高RFID的房间级定位准确性。　　这种新技术称作 A...[详细]
开拓医疗电子数据转换器扮重要角色

　　根据专业研究机构Databeans最新的报告内容，2007年医疗半导体市场超过26.3亿美元。由于产品设计对于更小尺寸、更低功耗与更高速度的要求提高，因此数据转换器、传感器和电源芯片成为医疗电子需求最大的半导体器件。　　作为连接模拟和数字世界的桥梁，数据转换器是电子产品数字化的关键，它定义了图像、声音、精度、速度和用户接口。在当今大多数高性能医学成像设备中，对数据转换器的性能要求越来越...[详细]
加拿大“微型机器手” 可完好抓起细胞

　　据英国《新科学家》杂志今日报道，加拿大多伦多大学开发的新型微型机器手是一对微型的机器钳子，具有最灵敏的抓握，可抓起和移动一个细胞，而不破坏这个细胞。此微型机器手可用于组装细胞到人造组织结构中，或制造微米级和纳米级的装置。　　此机器钳子可施展小到20纳牛顿的力，1纳牛顿是十亿分之一牛顿。加拿大多伦多大学负责开发此项目的研究人员孙余(音译)表示，这是机器人首次能感受到它们如此轻微地抓握物体的...[详细]
Intersil新的降压型稳压器ISL801×

2008 年 07 月 11 日， Intersil 公司宣布推出 ISL8012 、 ISL8013 和 ISL8014 三款单片同步降压型 DC/DC 稳压器。该系列器件可以为消费、计算机、工业及仪器等各种应用提供紧凑而有效的电源解决方案。 ISL8012/13/14 可执行高效率的 DC/DC 控制和转...[详细]
TI推出ZigBee认证Z-Stack 软件的最新版

2008 年 7 月 11 日, 德州仪器 (TI) 宣布推出业界领先的 ZigBee 认证 Z-Stack 软件的最新版（可通过 http://focus.ti.com.cn/cn/docs/toolsw/folders/print/z-stack.html 免费下载），此举进一步加强了其在 ZigBee 软硬件系列解决方案领域的领先地位。 Z-Stack...[详细]
TD-SCDMA终端射频测试技术研究

　　前言　　TD-SCDMA移动通信标准是我国具有自主知识产权的世界第三代移动通信标准，以时分双工、智能天线、联合检测等诸多核心技术成为世界移动通信领域的亮点。在我国，无线电管理部门所规划的155 MHz的核心频段，极大地推动了TD-SCDMA技术在近几年的快速发展，专家估计:TD-SCDMA所带来的商业效益和社会效益是难以估量的。但是，TD-SCDMA技术相对WCDMA和cdma2000技...[详细]
游戏玩家失望：英特尔新款游戏芯片定价过高

　　英特尔公布了部分处理能力最强大的新款处理器价格，可能会令游戏玩家失望，因为它们的价格远高于媒体的报道。　　英特尔最新的价格表显示，英特尔面向游戏玩家的最新款处理器——Core 2 Extreme Quad-Core处理器的时钟频率为3.2GHz，价格为1499美元；与这款芯片略有不同的另一款芯片的价格为1399美元；另外一个版本Core 2 Extreme Quad-Core芯片的时钟频...[详细]
中央固定集控式方向盘可减少驾驶员受伤指数

中国驾驶员不系安全带是普遍存在的事实，在这种情况下发生正面撞击，会对驾驶人员造成致命伤害。一种“非对称式”的安全气囊可以显著减少这种情况下的伤害：在利用“非对称式”安全气囊进行的中型轿车斜碰撞试验中，驾驶员的受伤指数减少了60%。这种特殊的气囊目前只安装在东风雪铁龙凯旋等拥有“中央固定集控式方向盘”的轿车上。中央固定集控式方向盘的特点是驾驶员在转向时仅仅是在转动方向盘的轮辐以及转向...[详细]
劲量AAAA碱性电池新一代电源解决方案

　　劲量公司宣布进一步推广其劲量AAAA(4A)碱性电池产品，以满足生产制造企业和消费者对于更小、更轻、更紧凑的电子产品的设计、制造和使用需求。　　当前，全球消费者都希望电子产品在更小、更轻的同时实现更高能效。因此，在设计电子产品时，设计人员和工程师都力求将其做得更加小巧。这意味着消费者需要随时获得体积更小的便携电源。劲量AAAA电池体积小，重量轻，正是出色的潮流电子产品的电源解决方案。目前...[详细]
SJTAG技术在ATCA体系的应用(图)

　　随着通信市场对无线与有线服务的需求持续成长，电信产业认识到需要跳脱专利型或部分开放型架构的桎梏，以便获得更多的选择空间。因此PICMG（PCI Industrial Computer Manufacturers Group，PCI工业计算机制造组织）提出了AdvancedTCA的开放式硬件平台的相关规范，称为PICMG 3.X规范，针对新一代网络元素提供充裕的扩充性与空间，支持多种交换协议与...[详细]
关于数Gpbs高速存储器接口设计的分析

　　游戏机、数字电视(DTV)和个人电脑等流行的消费类电子产品的功能越来越多，性能也越来越高。这些产品数据处理能力的增强使它们的DRAM存储器接口功能与产品本身的功能紧密联系在一起，以支持更多功能和更高性能。数据速率达数Gbps的存储器接口架构可以帮助这些产品实现所需的功能和性能，但是存储器接口设计必须克服艰巨的挑战才能达到想要的产品性能和质量。　　更新一代的DDR3DRAM和XDR DRA...[详细]
奔驰Vito119医疗车交付北京急救中心使用

　　7月23日，国药控股北京华鸿携手戴姆勒向北京急救中心转交82台梅赛德斯—奔驰Vito（威霆）119机动型医疗车交接仪式及北京急救中心备战奥运急救演练活动在京隆重举行。在2008北京奥运会即将来临之际，引进具有最前沿科技、配备最先进医疗装备的高端Vito119机动型医疗车，将为本次奥运盛会的卫生保障及场馆急救提供坚实可靠的支持。　　集优越设计、强劲动力和出众的操控性于一身，梅赛德斯—奔驰V...[详细]
英特尔公开贬低ARM手机架构 ARM反击其误导市场

英特尔在其美国秋季IDF上的言论，惹毛了英国ARM。这家全球最大的半导体独立IP(知识产权)供应商仍然深为不满。 “英特尔显然是在误导市场。”ARM全球首席运营官都德布朗昨天在上海对《第一财经日报》说。英特尔为推移动设备作准备 ARM是全球著名芯片知识产权架构IP供应商。目前，它的产品架购已进入全球近100%的CDMA手机、85%以上的WCDMA手机市场。英特尔其美...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多