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CBR50-040P

产品描述50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小82KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CBR50-040P概述

50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS

CBR50-040P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明S-PUFM-D4
针数4
制造商包装代码CASE FP
Reach Compliance Code_compli
最小击穿电压400 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码S-PUFM-D4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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CBR50-020P SERIES
50 AMP
SILICON BRIDGE RECTIFIER
200 thru 1000 VOLTS
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR50-020P
series types are silicon single phase full wave
bridge rectifiers designed for general purpose
applications. The molded epoxy case has a built in
metal baseplate for heat sink mounting.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
CASE FP
MAXIMUM RATINGS
(TA=25°C)
SYMBOL
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TC=55°C)
Peak Forward Surge Current
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
RMS Isolation Voltage (case to lead)
VRRM
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
Θ
JC
Viso
CBR50- CBR50-
040P
020P
200
200
140
400
400
280
CBR50- CBR50- CBR50-
060P
080P
100P
600
600
420
50
400
-65 to +150
1.5
2500
800
800
560
1000
1000
700
UNITS
V
V
V
A
A
°C
°C/W
Vac
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
TYP
IR
IR
VF
CJ
VR=Rated VRRM, TC=25°C
VR=Rated VRRM, TC=125°C
IF=25A
VR=4.0V, f=1.0MHz
300
MAX
5.0
500
1.1
UNITS
µA
µA
V
pF
R0 (31-August 2004)

CBR50-040P相似产品对比

CBR50-040P CBR50-020P CBR50-080P CBR50-060P CBR50-100P
描述 50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS 50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS 50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS 50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS 50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER 200 thru 1000 VOLTS
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 PLASTIC, CASE FP, 4 PIN S-PUFM-D4 PLASTIC, CASE FP, 4 PIN
针数 4 4 4 4 4
制造商包装代码 CASE FP CASE FP CASE FP CASE FP CASE FP
Reach Compliance Code _compli _compli unknown _compli unknown
最小击穿电压 400 V 200 V 800 V 600 V 1000 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A
元件数量 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V 800 V 600 V 1000 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1 1

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