EDI8G32259C25MNC,EDI8G32259C25MNC pdf中文资料,EDI8G32259C25MNC引脚图,EDI8G32259C25MNC电路-Datasheet-电子工程世界

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EDI8G32259C25MNC: 产品描述SRAM Module, 256KX32, 25ns, CMOS, SIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小260KB，共8页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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EDI8G32259C25MNC概述

SRAM Module, 256KX32, 25ns, CMOS, SIMM-72

EDI8G32259C25MNC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	SIMM-72
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	72
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	17.272 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	1.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

EDI8G32259C25MNC相似产品对比

	EDI8G32259C25MNC	EDI8G32259C15MMC	EDI8G32259C15MNC	EDI8G32259C20MMC	EDI8G32259C20MNC	EDI8G32259C25MMC
描述	SRAM Module, 256KX32, 25ns, CMOS, SIMM-72	SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS, SIMM-72	SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS, SIMM-72	SRAM Module, 256KX32, 20ns, CMOS, SIMM-72	SRAM Module, 256KX32, 20ns, CMOS, SIMM-72	SRAM Module, 256KX32, 25ns, CMOS, SIMM-72
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation
包装说明	SIMM-72	SIMM-72	SIMM-72	SIMM-72	SIMM-72	SIMM-72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	25 ns	15 ns	15 ns	20 ns	20 ns	25 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	17.272 mm	15.24 mm	17.272 mm	15.24 mm	17.272 mm	15.24 mm
最大待机电流	0.04 A	0.08 A	0.08 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	1.28 mA	1.28 mA	1.28 mA	1.44 mA	1.44 mA	1.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

EDI8G32259C25MNC

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