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CXK581000M-10LL

产品描述131072-word x 8-bit HIGH SPEED COMS STATIC RAM
产品类别存储    存储   
文件大小551KB,共11页
制造商SONY(索尼)
官网地址http://www.sony.co.jp
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CXK581000M-10LL概述

131072-word x 8-bit HIGH SPEED COMS STATIC RAM

CXK581000M-10LL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP32,.56
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.5 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.05 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.2 mm
Base Number Matches1
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