2SC2652概述

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

2SC2652规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	20 A
集电极-发射极最大电压	55 V
配置	SINGLE
最高频带	HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-CRFM-F4
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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