电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI4888DY-E3

产品描述MOSFET 30V 16A 3.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SI4888DY-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI4888DY-E3 - - 点击查看 点击购买

SI4888DY-E3概述

MOSFET 30V 16A 3.5W

SI4888DY-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)

文档预览

下载PDF文档
Si4888DY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.007 at V
GS
= 10 V
0.010 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
16
13
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• High-Efficiency PWM Optimized
• 100 % R
g
Tested
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
S
Ordering Information:
Si4888DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4888DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
3.0
3.5
2.2
- 55 to 150
16
13
± 50
1.40
1.6
1.0
W
°C
10 s
30
± 20
11
8
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
29
65
15
Maximum
35
80
18
°C/W
Unit
Document Number: 71336
S09-0221-Rev. F, 09-Feb-09
www.vishay.com
1

SI4888DY-E3相似产品对比

SI4888DY-E3 SI4888DY-T1-E3 SI4888DY-T1
描述 MOSFET 30V 16A 3.5W MOSFET 30V 16A 3.5W MOSFET 30V 16A 3.5W
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant unknown unknown
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 11 A 11 A 11 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e3 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.5 W 3.5 W 3.5 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
是否Rohs认证 符合 符合 -
湿度敏感等级 1 1 -
是否无铅 - 不含铅 含铅
零件包装代码 - SOT SOT
针数 - 8 8
ECCN代码 - EAR99 EAR99
Is Samacsys - N N
最小漏源击穿电压 - 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) - 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 - 0.007 Ω 0.007 Ω
JESD-30 代码 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
元件数量 - 1 1
端子数量 - 8 8
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 240
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 20 30
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1
有人用过氮化镓功率器件吗?
氮化镓(GaN)材料具有3倍于Si材料的禁带宽度、10 倍于Si的临界击穿电场和2.5倍于Si的饱和漂移速度,特别是基于GaN的AlGaN/GaN 结构具有更高的电子迁移率,使得GaN器件具有低导通电阻、高工作频 ......
buildele 电源技术
本人想考工程师
现在大一马上大二,想毕业之后考证,这几年都要学什么啊,具体一点最好,硬件软件都想看看,比较一下。顺便找个能带我入门的师傅,哈尔滨的最好...
傻傻的熊猫 求职招聘
原来公交卡是这么用的
RFID技术分为主动FRID,被动RFID和半主动RFID,国际上使用最多的是被动RFID。公交卡就是一种典型的被动RFID卡,它不自带电源,由读卡器在RFID卡接近的时候通过发射的无线电射频扫描切割RFID卡内 ......
soso 无线连接
在脉冲RD的上升沿将内存的数据读到芯片的数据端口DOUT,怎样实现?
可以让这个脉冲信号直接做clock使用吗?? 例如下面这样写:always @(posedge RD )DOUT_EN==1'b1;产生一个enable 信号,综合时要对这个RD create clock 吗??...
eeleader-mcu FPGA/CPLD
AM437x 评估模块 不错!
AM4378 ARM Cortex-A9 Processor 2GB DDR3 TPS65218 Power management IC 7" capacitive touch screen LCD 2 camera modules On board NAND and eMMC memory Connector for Wilink8 ......
蓝雨夜 DSP 与 ARM 处理器
MSP430驱动步进电机,使用DRV8814芯片原理图和参考源代码
TI DRV8814 步进电机驱动芯片:具有浪涌电流保护功能的 2.5A 双路刷式直流电机驱动器 DRV8814原理设计,MSP430与其接口电路原理图参见附件。 ...
hansonhe 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2823  865  447  599  1312  29  30  15  5  36 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved