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CY7C2670KV18-550BZI

产品描述SRAM 144Mb (4Mx36) QDR II QDR II + SRAM
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文件大小536KB,共29页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C2670KV18-550BZI在线购买

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CY7C2670KV18-550BZI概述

SRAM 144Mb (4Mx36) QDR II QDR II + SRAM

CY7C2670KV18-550BZI规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Cypress(赛普拉斯)
产品种类
Product Category
SRAM
RoHSN
Memory Size144 Mbit
Organization4 M x 36
Access Time50 ns
Maximum Clock Frequency550 MHz
接口类型
Interface Type
Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
1.9 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.7 V
Supply Current - Max1140 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
FBGA-165
系列
Packaging
Tray
Memory TypeDDR
类型
Type
Synchronous
Moisture SensitiveYes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
105

CY7C2670KV18-550BZI相似产品对比

CY7C2670KV18-550BZI CY7C2670KV18-550BZXI CY7C2670KV18-450BZI
描述 SRAM 144Mb (4Mx36) QDR II QDR II + SRAM SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 DDR II SRAM SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 DDR II SRAM
Product Attribute Attribute Value - Attribute Value
制造商
Manufacturer
Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯)
产品种类
Product Category
SRAM - SRAM
RoHS N - N
Memory Size 144 Mbit - 144 Mbit
Organization 4 M x 36 - 4 M x 36
Access Time 50 ns - 50 ns
Maximum Clock Frequency 550 MHz - 450 MHz
接口类型
Interface Type
Parallel - Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
1.9 V - 1.9 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.7 V - 1.7 V
Supply Current - Max 1140 mA - 980 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C - + 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT - SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
FBGA-165 - FBGA-165
系列
Packaging
Tray - Tray
Memory Type DDR - DDR
类型
Type
Synchronous - Synchronous
Moisture Sensitive Yes - Yes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
105 - 105
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