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CY7C2670KV18-550BZXI

产品描述SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 DDR II SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小536KB,共29页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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CY7C2670KV18-550BZXI在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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CY7C2670KV18-550BZXI概述

SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 DDR II SRAM

CY7C2670KV18-550BZXI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
包装说明FBGA-165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Factory Lead Time1 week
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)550 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最小待机电流1.7 V
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度15 mm

CY7C2670KV18-550BZXI相似产品对比

CY7C2670KV18-550BZXI CY7C2670KV18-550BZI CY7C2670KV18-450BZI
描述 SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 DDR II SRAM SRAM 144Mb (4Mx36) QDR II QDR II + SRAM SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 DDR II SRAM
Product Attribute - Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
- Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
产品种类
Product Category
- SRAM SRAM
RoHS - N N
Memory Size - 144 Mbit 144 Mbit
Organization - 4 M x 36 4 M x 36
Access Time - 50 ns 50 ns
Maximum Clock Frequency - 550 MHz 450 MHz
接口类型
Interface Type
- Parallel Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
- 1.9 V 1.9 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
- 1.7 V 1.7 V
Supply Current - Max - 1140 mA 980 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- - 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
- + 85 C + 85 C
安装风格
Mounting Style
- SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
- FBGA-165 FBGA-165
系列
Packaging
- Tray Tray
Memory Type - DDR DDR
类型
Type
- Synchronous Synchronous
Moisture Sensitive - Yes Yes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
- 105 105
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