SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 DDR II SRAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
包装说明 | FBGA-165 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
Factory Lead Time | 1 week |
最长访问时间 | 0.45 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 550 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 17 mm |
内存密度 | 150994944 bit |
内存集成电路类型 | DDR SRAM |
内存宽度 | 36 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 165 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 4MX36 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最小待机电流 | 1.7 V |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 15 mm |
CY7C2670KV18-550BZXI | CY7C2670KV18-550BZI | CY7C2670KV18-450BZI | |
---|---|---|---|
描述 | SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 DDR II SRAM | SRAM 144Mb (4Mx36) QDR II QDR II + SRAM | SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 DDR II SRAM |
Product Attribute | - | Attribute Value | Attribute Value |
制造商 Manufacturer |
- | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
产品种类 Product Category |
- | SRAM | SRAM |
RoHS | - | N | N |
Memory Size | - | 144 Mbit | 144 Mbit |
Organization | - | 4 M x 36 | 4 M x 36 |
Access Time | - | 50 ns | 50 ns |
Maximum Clock Frequency | - | 550 MHz | 450 MHz |
接口类型 Interface Type |
- | Parallel | Parallel |
电源电压-最大 Supply Voltage - Max |
- | 1.9 V | 1.9 V |
电源电压-最小 Supply Voltage - Min |
- | 1.7 V | 1.7 V |
Supply Current - Max | - | 1140 mA | 980 mA |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature |
- | - 40 C | - 40 C |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature |
- | + 85 C | + 85 C |
安装风格 Mounting Style |
- | SMD/SMT | SMD/SMT |
封装 / 箱体 Package / Case |
- | FBGA-165 | FBGA-165 |
系列 Packaging |
- | Tray | Tray |
Memory Type | - | DDR | DDR |
类型 Type |
- | Synchronous | Synchronous |
Moisture Sensitive | - | Yes | Yes |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity |
- | 105 | 105 |
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