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1N4100-TR

产品描述Zener Diodes .25W 5% Lw Noise/Lvl
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小412KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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1N4100-TR概述

Zener Diodes .25W 5% Lw Noise/Lvl

1N4100-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
Zener Diodes
RoHSDetails
Vz - Zener Voltage7.5 V
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
DO-35-2
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
250 mW
Voltage Tolerance5 %
Zener Current31.8 mA
Zz - Zener Impedance200 Ohms
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
ConfigurationSingle
Test Current0.25 mA
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
2.29 mm
长度
Length
5.08 mm
端接类型
Termination Style
Axial
宽度
Width
2.29 mm
Ir - Reverse Current10 uA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
单位重量
Unit Weight
0.004833 oz

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1N4099 THRU 1N4135
SILICON ZENER DIODE
LOW NOISE
6.8 VOLT THRU 100 VOLT
250mW, 5% TOLERANCE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4099 series
silicon Zener diode is designed for low leakage, low
current, and low noise applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
250
-65 to +200
UNITS
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=1.1V MAX @ IF=200mA (for all types)
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
MIN
V
1N4099
1N4100
1N4101
1N4102
1N4103
1N4104
1N4105
1N4106
1N4107
1N4108
1N4109
1N4110
1N4111
1N4112
1N4113
1N4114
1N4115
1N4116
1N4117
1N4118
1N4119
1N4120
1N4121
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
NOM
V
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
MAX
V
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
TEST
CURRENT
IZT
μA
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT @ IZT
Ω
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
200
200
200
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR
μA
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
@
VR
V
5.2
5.7
6.3
6.7
7.0
7.6
8.5
9.2
9.9
10.7
11.4
12.2
13.0
13.7
14.5
15.2
16.8
18.3
19.0
20.5
21.3
22.8
25.1
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
IZM
mA
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
MAXIMUM
NOISE
DENSITY
ND @ 250μA
μV/ Hz
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
TYPE
R1 (4-February 2014)

 
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