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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BD647-S
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BD647-S

产品描述Darlington Transistors 80V 8A NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB，共4页
制造商Bourns
官网地址http://www.bourns.com
标准
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BD647-S在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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BD647-S概述

Darlington Transistors 80V 8A NPN

BD647-S规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Bourns
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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BD645, BD647, BD649, BD651
NPN SILICON POWER DARLINGTONS
●
●
●
●
Designed for Complementary Use with
BD646, BD648, BD650 and BD652
62.5 W at 25°C Case Temperature
8 A Continuous Collector Current
Minimum h
FE
of 750 at 3V, 3 A
B
C
E
TO-220 PACKAGE
(TOP VIEW)
1
2
3
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.
MDTRACA
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)
RATING
BD645
Collector-base voltage (I
E
= 0)
BD647
BD649
BD651
BD645
Collector-emitter voltage (I
B
= 0)
BD647
BD649
BD651
Emitter-base voltage
Continuous collector current
Peak collector current (see Note 1)
Continuous base current
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)
Unclamped inductive load energy (see Note 4)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds
NOTES: 1.
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
P
tot
½LI
C
2
T
j
T
stg
T
L
V
CEO
V
CBO
SYMBOL
VALUE
80
100
120
140
60
80
100
120
5
8
12
0.3
62.5
2
50
-65 to +150
-65 to +150
260
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
V
V
UNIT
This value applies for t
p
≤
0.3 ms, duty cycle
≤
10%.
Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.4 W/°C.
Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.
This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I
B(on)
= 5 mA, R
BE
= 100
Ω,
V
BE(off)
= 0, R
S
= 0.1
Ω,
V
CC
= 20 V.
MAY 1993 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.
NOITAMROFNI
TCUDORP
1

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BD647-S BD649 BD647 BD645 BD645-S
描述 Darlington Transistors 80V 8A NPN Darlington Transistors 62.5W NPN Silicon Darlington Transistors 62.5W NPN Silicon Darlington Transistors 62.5W NPN Silicon Darlington Transistors 60V 8A NPN
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 Bourns Bourns Bourns Bourns Bourns
零件包装代码 TO-220AB SFM SFM SFM TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 80 V 100 V 80 V 60 V 60 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 750 750 750 750
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C -
最大功率耗散 (Abs) - 62.5 W 62.5 W 62.5 W -
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified -

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