IC 1-CH 12-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDFP40, CERAMIC, FP-40, Analog to Digital Converter
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | CERAMIC, FP-40 |
| 针数 | 40 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| Is Samacsys | N |
| 最大模拟输入电压 | 1.024 V |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F40 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 53.215 mm |
| 标称负供电电压 | -5.2 V |
| 模拟输入通道数量 | 1 |
| 位数 | 12 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 40 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出位码 | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, WORD |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL40,1.2,100 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5,-5.2 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 采样速率 | 20 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | TRACK |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.51 mm |
| 最大压摆率 | 760 mA |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 27.69 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AD9034Z/883B | AD9034D/883B | |
|---|---|---|
| 描述 | IC 1-CH 12-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDFP40, CERAMIC, FP-40, Analog to Digital Converter | IC 1-CH 12-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, MDIP40, HERMETIC SEALED, METAL, DIP-40, Analog to Digital Converter |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DFP | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, FP-40 | HERMETIC SEALED, METAL, DIP-40 |
| 针数 | 40 | 40 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 最大模拟输入电压 | 1.024 V | 1.024 V |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F40 | R-MDIP-T40 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 标称负供电电压 | -5.2 V | -5.2 V |
| 模拟输入通道数量 | 1 | 1 |
| 位数 | 12 | 12 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 40 | 40 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出位码 | BINARY | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, WORD | PARALLEL, WORD |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | METAL |
| 封装代码 | DFP | DIP |
| 封装等效代码 | FL40,1.2,100 | DIP40,.9 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5,-5.2 V | 5,-5.2 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 采样速率 | 20 MHz | 20 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | TRACK | TRACK |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.51 mm | 5.72 mm |
| 最大压摆率 | 760 mA | 760 mA |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 27.69 mm | 15.24 mm |
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