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LH5116H

产品描述2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24
产品类别存储   
文件大小85KB,共10页
制造商SHARP
官网地址http://sharp-world.com/products/device/
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LH5116H概述

2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24

2K × 8 标准存储器, 100 ns, PDIP24

LH5116H规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量24
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间100 ns
加工封装描述0.600 INCH, 塑料, DIP-24
状态DISCONTINUED
工艺CMOS
包装形状矩形的
包装尺寸IN-线
端子形式THROUGH-孔
端子间距2.54 mm
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级COMMERCIAL
内存宽度8
组织2K × 8
存储密度16384 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数2048 words
位数2K
内存IC类型标准存储器
串行并行并行

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LH5116/H
FEATURES
2,048
×
8 bit organization
Access time: 100 ns (MAX.)
Power consumption:
Operating: 220 mW (MAX.)
Standby: 5.5
µW
(MAX.)
Single +5 V power supply
Fully-static operation
TTL compatible I/O
Three-state outputs
Wide temperature range available
LH5116H: -40 to +85°C
Packages:
24-pin, 600-mil DIP
24-pin, 300-mil SK-DIP
24-pin, 450-mil SOP
CMOS 16K (2K
×
8) Static RAM
DESCRIPTION
The LH5116/H are static RAMs organized as 2,048
×
8
bits. It is fabricated using silicon-gate CMOS process
technology. It features high speed access in read mode
using output enable (t
OE
).
PIN CONNECTIONS
24-PIN DIP
24-PIN SK-DIP
24-PIN SOP
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I/O
1
I/O
2
I/O
3
GND
TOP VIEW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Vcc
A
8
A
9
WE
OE
A
10
CE
I/O
8
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
5116-1
Figure 1. Pin Connections for DIP, SK-DIP,
and SOP Packages
1

LH5116H相似产品对比

LH5116H LH5116D-10 LH5116-10 LH5116HD-10 LH5116H-10 LH5116HN-10 LH5116
描述 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO24 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24 24
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-孔
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
组织 2K × 8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2K × 8
厂商名称 - SHARP SHARP SHARP SHARP SHARP -
包装说明 - 0.300 INCH, PLASTIC, SKDIP-24 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 0.300 INCH, PLASTIC, SKDIP-24 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-24 -
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow unknow -
最长访问时间 - 100 ns 100 ns 100 ns 100 ns 100 ns -
JESD-30 代码 - R-PDIP-T24 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24 R-PDSO-G24 -
长度 - 22 mm 31 mm 22 mm 31 mm 15.4 mm -
内存密度 - 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bi -
内存集成电路类型 - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM -
端口数量 - 1 1 1 1 1 -
字数 - 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words -
字数代码 - 2000 2000 2000 2000 2000 -
工作模式 - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 - 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C -
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
可输出 - YES YES YES YES YES -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 - SDIP DIP SDIP DIP SOP -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 - IN-LINE, SHRINK PITCH IN-LINE IN-LINE, SHRINK PITCH IN-LINE SMALL OUTLINE -
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 - 4.4 mm 5.3 mm 4.4 mm 5.3 mm 2.6 mm -
最小待机电流 - 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V -
最大供电电压 (Vsup) - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 - NO NO NO NO YES -
技术 - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
端子节距 - 1.778 mm 2.54 mm 1.778 mm 2.54 mm 1.27 mm -
宽度 - 7.62 mm 15.24 mm 7.62 mm 15.24 mm 8.6 mm -
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