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18L239

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.18A, 23900V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共1页
制造商EDAL
官网地址http://www.edal.com/
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18L239概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.18A, 23900V V(RRM), Silicon

18L239规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.18 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压23900 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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