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CD4016B-MIL

产品描述CD4016B-MIL CMOS Quad Bilateral Switch
产品类别半导体    模拟混合信号IC   
文件大小1MB,共19页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

CD4016B-MIL概述

CD4016B-MIL CMOS Quad Bilateral Switch

CD4016B-MIL规格参数

参数名称属性值
OFF-state leakage current(Max)(μA)0.1
Vdd(Min)(V)3
Power supply typeSingle,Dual
Ron(Typ)(Ohms)280
Bandwidth(MHz)40
RatingMilitary
Vss(Min)(V)-10
Vss(Max)(V)0
ON-state leakage current(Max)(μA)0.1
Ron(Max)(Ohms)400
CON(Typ)(pF)7.5
Supply current(Max)(uA)0.5
VIH(Min)(V)Vdd*.7
Supply current(Typ)(uA)0.01
Number of channels(#)4
Supply range(Max)18
Operating temperature range(C)-55 to 125
COFF(Typ)(pF)7.5
Vdd(Max)(V)18
Input/output continuous current(Max)(mA)10
Package GroupCDIP|14
VIL(Max)(V)0.7

CD4016B-MIL相似产品对比

CD4016B-MIL 5962-9064001CA CD4016BF CD4016BF3A CD4016B
描述 CD4016B-MIL CMOS Quad Bilateral Switch CMOS Quad Bilateral Switch 14-CDIP -55 to 125 CMOS Quad Bilateral Switch 14-CDIP -55 to 125 CMOS Quad Bilateral Switch 14-CDIP -55 to 125 CD4016B CMOS Quad Bilateral Switch
Brand Name - Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments -
零件包装代码 - DIP DIP DIP -
包装说明 - DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 -
针数 - 14 14 14 -
Reach Compliance Code - not_compliant not_compliant not_compliant -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 -
Factory Lead Time - 1 week 6 weeks 1 week -
模拟集成电路 - 其他类型 - SPST SPST SPST -
标称带宽 - 40 MHz 40 MHz 40 MHz -
最大输入电压 - 0.9 V 0.9 V 0.9 V -
JESD-30 代码 - R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 -
长度 - 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm -
正常位置 - NO NO NO -
信道数量 - 4 1 4 -
功能数量 - 4 4 4 -
端子数量 - 14 14 14 -
标称断态隔离度 - 50 dB 50 dB 50 dB -
通态电阻匹配规范 - 10 Ω 10 Ω 10 Ω -
最大通态电阻 (Ron) - 2000 Ω 2000 Ω 2000 Ω -
最高工作温度 - 125 °C 125 °C 125 °C -
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -55 °C -
输出 - SEPARATE OUTPUT SEPARATE OUTPUT SEPARATE OUTPUT -
封装主体材料 - CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED -
封装代码 - DIP DIP DIP -
封装等效代码 - DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 - IN-LINE IN-LINE IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 - 3/18 V 3/18 V 5/15 V -
认证状态 - Qualified Not Qualified Not Qualified -
筛选级别 - MIL-STD-883 MIL-STD-883 38535Q/M;38534H;883B -
座面最大高度 - 4.57 mm 5.08 mm 4.57 mm -
最大供电电流 (Isup) - 0.005 mA 0.005 mA 0.005 mA -
最大供电电压 (Vsup) - 18 V 18 V 18 V -
最小供电电压 (Vsup) - 3 V 3 V 3 V -
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 10 V -
表面贴装 - NO NO NO -
最长接通时间 - 40 ns 40 ns 40 ns -
切换 - BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE -
技术 - CMOS CMOS CMOS -
温度等级 - MILITARY MILITARY MILITARY -
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 - DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
宽度 - 6.67 mm 7.62 mm 6.67 mm -
Base Number Matches - 1 1 1 -

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