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1N5393G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小131KB,共2页
制造商JGD(Jinan Gude Electronic Device)
官网地址http://www.jgd.com.cn/
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1N5393G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,

1N5393G规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

1N5393G相似产品对比

1N5393G FP-U8989-11-2641-C-B-5
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15, Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.025W, 2640ohm, 50V, 0.25% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 3825,
Reach Compliance Code unknown compliant
其他特性 HIGH RELIABILITY ULTRA PRECISION
元件数量 1 1
端子数量 2 14
最高工作温度 150 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -55 °C
封装形式 LONG FORM SMT
表面贴装 NO YES

 
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