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KBP06G

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 600V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小123KB,共1页
制造商Dean Technology
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KBP06G概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 600V V(RRM), Silicon

KBP06G规格参数

参数名称属性值
包装说明R-XSIP-W4
Reach Compliance Codeunknown
最小击穿电压600 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-XSIP-W4
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流0.000005 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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