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CD54HCT30F3A

产品描述High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小1MB,共20页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

CD54HCT30F3A概述

High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125

CD54HCT30F3A规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP-14
针数14
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Is SamacsysN
系列HCT
JESD-30 代码R-GDIP-T14
长度19.56 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量1
输入次数8
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
最大电源电流(ICC)0.04 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup42 ns
传播延迟(tpd)42 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6.67 mm
Base Number Matches1

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描述 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125 CD54HC30 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate CD54HCT30 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate CD74HC30 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate CD74HCT30 High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments - - - -
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP - - - -
包装说明 DIP-14 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 - - - -
针数 14 14 14 14 14 - - - -
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant - - - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - - -
Factory Lead Time 6 weeks 1 week 16 weeks 6 weeks 16 weeks - - - -
系列 HCT HCT HC HC/UH HC/UH - - - -
JESD-30 代码 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 - - - -
长度 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm - - - -
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF - - - -
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE - - - -
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A - - - -
功能数量 1 1 1 1 1 - - - -
输入次数 8 8 8 8 8 - - - -
端子数量 14 14 14 14 14 - - - -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C - - - -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - - - -
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED - - - -
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP - - - -
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 - - - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - - -
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE - - - -
包装方法 TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE - - - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - - -
电源 5 V 5 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V - - - -
最大电源电流(ICC) 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA - - - -
Prop。Delay @ Nom-Sup 42 ns 42 ns 30 ns 39 ns 39 ns - - - -
传播延迟(tpd) 42 ns 42 ns 195 ns 195 ns 195 ns - - - -
认证状态 Not Qualified Qualified Qualified Not Qualified Not Qualified - - - -
施密特触发器 NO NO NO NO NO - - - -
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm - - - -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 6 V 6 V 6 V - - - -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 2 V 2 V 2 V - - - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V - - - -
表面贴装 NO NO NO NO NO - - - -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - - - -
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY - - - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - - -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - - - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - - - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - - -
宽度 6.67 mm 6.67 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm - - - -

 
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