Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
MJE
系列晶½管
系列晶½管/MJE
SERIES TRANSISTORS
MJE13003BR
（
H）
）
APPLICATION:
FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
Tc=25°C
°
Absolute Maximum Ratings Tc=25°C
°
TO-126
PARAMETER
-
Collector-Base Voltage
-
Collector-Emitter Voltage
-
Emitter- Base Voltage
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
VALUE
600
400
9
1.0
20
150
-65-150
UNIT
V
V
V
A
W
°C
°C
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
I
CEO
V
CEO
V
EBO
Vcesat
Vbesat
V
CE
=400V,I
B
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=0.20A,I
B
=0.04A
I
C
=0.75A,I
B
=0.25A
I
C
=0.2A,I
B
=0.04A
V
CE
=5V,I
C
=1mA
7
10
5
1.5
400
9
250
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
-
Base-Emitter Saturation Voltage
0.30
0.50
1.2
DC Current Gain
h
FE
V
CE
=10V,I
C
=0.1A
V
CE
=5V,I
C
=1A
40
Storage Time
Falling Time
t
S
t
f
V
CC
=5V,I
C
=0.25A,
(UI9600)
3.5
µS
1.0
Si semiconductors
2009.09
μ
μ
CHARACTERISTICS
-
Collector-Base Cutoff Current
-
Collector-Emitter Cutoff Current
-
Collector-Emitter Voltage
-
Emitter- Base Voltage
SYMBOL
I
CBO
TEST CONDITION
V
CB
=600V
MIN
MAX
100
UNIT
A
A
½单
½单
½单
½单
值大最 值小最
值大最 值小最
值大最 值小最
值大最 值小最
件条试测
件条试测
件条试测
件条试测
）
）
）
）
号符
号符
号符
号符
（
（
（
（
Tc=25°C
°
Electronic Characteristics
Tc=25°C
°
■
FEATURES
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
HIGH SPEED SWITCHING
范规
范规
范规
范规
RoHS
½单
½单
½单
½单
）
）
（
（
●
●
）
）
（
（
●
●
）
）
（值定额大最●
（值定额大最●
）
）
（值定额大最●
（值定额大最●
●
●
■
■
●
●
器流镇子电 灯½节：用应●
器流镇子电 灯½节：用应●
器流镇子电 灯½节：用应●
器流镇子电 灯½节：用应●
：
：
●
●
■
■
：
：
●
●
合符 ½区½工全安 快度速关开 压高耐：点特●
合符 ½区½工全安 快度速关开 压高耐：点特●
合符 ½区½工全安 快度速关开 压高耐：点特●
合符 ½区½工全安 快度速关开 压高耐：点特●
值定额
值定额
值定额
值定额
号符
号符
号符
号符
压电极基 极射发
压电极射发 极电集
流电止截极射发 极电集
流电止截极基 极电集
称名数参
称名数参
称名数参
称名数参
压电和饱极射发 极电集
压电和饱极基 极射发
W IDE SOA
■
RoHS COMPLIANT
）
）
）
）
度温存贮
度温½工高最
率功散耗极电集
流电极电集
压电极基 极射发
压电极射发 极电集
压电极基 极电集
数倍大放流电
间时降下
间时存贮
数参
数参
数参
数参
●
●
●
●
（性特电 ●
（性特电 ●
（性特电 ●
（性特电 ●
V
V
V
V
1
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