12V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 6 weeks |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压 | 12 V |
最大漏极电流 (ID) | 3.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.13 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 48 pF |
JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 31 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
CSD23285F5T | CSD23285F5 | |
---|---|---|
描述 | 12V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 | 12V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
Factory Lead Time | 6 weeks | 6 weeks |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压 | 12 V | 12 V |
最大漏极电流 (ID) | 3.3 A | 3.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.13 Ω | 0.13 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 48 pF | 48 pF |
JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 | R-XBCC-N3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 31 A | 31 A |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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