TLV2316QDGKTQ1,TLV2316QDGKTQ1 pdf中文资料,TLV2316QDGKTQ1引脚图,TLV2316QDGKTQ1电路-Datasheet-电子工程世界

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TLV2316QDGKTQ1: 产品描述10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 8-VSSOP -40 to 125; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小2MB，共33页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准

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TLV2316QDGKTQ1概述

10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 8-VSSOP -40 to 125

TLV2316QDGKTQ1规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	TSSOP,
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	1 week
Samacsys Description	Operational Amplifiers - Op Amps 10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 8-VSSOP -40 to 125
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
最小共模抑制比	72 dB
标称共模抑制比	90 dB
最大输入失调电压	3000 µV
JESD-30 代码	S-PDSO-G8
长度	3 mm
湿度敏感等级	2
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.1 mm
标称压摆率	6 V/us
最大压摆率	575 mA
供电电压上限	7 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
标称均一增益带宽	10000 kHz
宽度	3 mm

TLV2316QDGKTQ1相似产品对比

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描述	10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 8-VSSOP -40 to 125	10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 5-SOT-23 -40 to 125	10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 5-SOT-23 -40 to 125	10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 8-VSSOP -40 to 125	10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125	TLV2316-Q1 10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier	TLV316-Q1 10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier	TLV4316-Q1 10-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low-Voltage, 1.8-V CMOS Operational Amplifier
Input common mode headroom (to negative supply)(Typ)(V)	-	-0.2	-0.2	-	-0.2	-0.2	-0.2	-0.2
Vos (offset voltage @ 25 C)(Max)(mV)	-	3	3	-	3	3	3	3
Offset drift(Typ)(uV/C)	-	2	2	-	2	2	2	2
Features	-	Cost Optimized,EMI Hardened	Cost Optimized,EMI Hardened	-	Cost Optimized,EMI Hardened	Cost Optimized,EMI Hardened	Cost Optimized,EMI Hardened	Cost Optimized,EMI Hardened
Number of channels(#)	-	1	1	-	4	2	1	4
Input common mode headroom (to positive supply)(Typ)(V)	-	0.2	0.2	-	0.2	0.2	0.2	0.2
GBW(Typ)(MHz)	-	10	10	-	10	10	10	10
Slew rate(Typ)(V/us)	-	6	6	-	6	6	6	6
Output current(Typ)(mA)	-	50	50	-	50	50	50	50
Rating	-	Automotive	Automotive	-	Automotive	Automotive	Automotive	Automotive
Approx. price(US$)	-	0.28 \| 1ku	0.28 \| 1ku	-	0.64 \| 1ku	0.43 \| 1ku	0.28 \| 1ku	0.64 \| 1ku
CMRR(Typ)(dB)	-	90	90	-	90	90	90	90
CMRR(Min)(dB)	-	72	72	-	72	72	72	72
Rail-to-rail	-	In,Out	In,Out	-	In,Out	In,Out	In,Out	In,Out
Iq per channel(Max)(mA)	-	575	575	-	575	575	575	575
Architecture	-	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
Output swing headroom (to positive supply)(Typ)(V)	-	-0.005	-0.005	-	-0.005	-0.005	-0.005	-0.005
Vn at 1 kHz(Typ)(nV/rtHz)	-	12	12	-	12	12	12	12
Total supply voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10)	-	1.8	1.8	-	1.8	1.8	1.8	1.8
Total supply voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10)	-	5.5	5.5	-	5.5	5.5	5.5	5.5
Iq per channel(Typ)(mA)	-	0.4	0.4	-	0.4	0.4	0.4	0.4
Operating temperature range(C)	-	-40 to 125	-40 to 125	-	-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125
Package Group	-	SOT-23\|5	SOT-23\|5	-	TSSOP\|14	VSSOP\|8	SOT-23\|5	TSSOP\|14
Output swing headroom (to negative supply)(Typ)(V)	-	0.005	0.005	-	0.005	0.005	0.005	0.005

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