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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962-0622904VYC
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5962-0622904VYC

产品描述Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.950 INCH, NCTB, CERAMIC, MQFP-68
产品类别存储    存储   
文件大小368KB，共16页
制造商Atmel (Microchip)
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5962-0622904VYC概述

Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.950 INCH, NCTB, CERAMIC, MQFP-68

5962-0622904VYC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码QFP
包装说明QFF, TPAK68,2.5SQ
针数68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQFP-F68
JESD-609代码e0
长度24.14 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度32
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量68
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFF
封装等效代码TPAK68,2.5SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）225
电源3.3 V
认证状态Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
座面最大高度4.7 mm
最大待机电流0.0045 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度24.14 mm
Base Number Matches1

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Features
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16 Mbit SRAM Multi Chip Module
Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration
Operating Voltage: 3.3V
+
0.3V
Access Time
– 20 ns, 18 ns for AT68166F
Power Consumption
– Active: 620 mW per byte (Max) @ 18ns - 415 mW per byte (Max) @ 50ns
(1)
– Standby: 13 mW (Typ)
Military Temperature Range: -55 to +125°C
TTL-Compatible Inputs and Outputs
Asynchronous
Die manufactured on Atmel 0.25 µm Radiation Hardened Process
No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm
2
Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019
ESD Better than 4000V
Quality Grades:
– QML-Q or V with SMD 5962-06229
– ESCC
950 Mils Wide MQFPT68 Package
Mass : 8.5 grams
1. Only for AT68166F-18. 450mW for AT68166F-20.
Rad Hard
16 MegaBit 3.3V
SRAM Multi-
Chip Module
AT68166F
Note:
Description
The AT68166F is a 16Mbit SRAM packaged in a hermetic Multi Chip Module
(MCM) for space applications.
The AT68166F MCM incorporates four 4Mbit AT60142FT SRAM dice. It can be orga-
nized as either one bank of 512Kx8, two banks of 512Kx16 or four banks of 512Kx8. It
combines rad-hard capabilities, a latch-up threshold of 80MeV.cm²/mg, a Multiple Bit
Upset immunity and a total dose tolerance of 300Krads, with a fast access time.
The MCM packaging technology allows a reduction of the PCB area by 50% with a
weight savings of 75% compared to four 4Mbit packages.
Thanks to the small size of the 4Mbit SRAM die, Atmel has been able to accommo-
date the assembly of the four dice on one side of the package which facilitates the
power dissipation.
The compatibility with other products allows designers to easily migrate to the Atmel
AT68166F memory.
The AT68166F is powered at 3.3V.
The AT68166F is processed according to the test methods of the latest revision of the
MIL-PRF-38535 or the ESCC 9000.
7747C–AERO–06/10

5962-0622904VYC相似产品对比

5962-0622904VYC 5962R0622904VYC 5962-0622904QYC
描述 Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.950 INCH, NCTB, CERAMIC, MQFP-68 Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.950 INCH, NCTB, CERAMIC, MQFP-68 Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.950 INCH, NCTB, CERAMIC, MQFP-68
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip)
零件包装代码 QFP QFP QFP
包装说明 QFF, TPAK68,2.5SQ QFF, QFF,
针数 68 68 68
Reach Compliance Code compliant unknown compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 20 ns 20 ns 20 ns
JESD-30 代码 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68
长度 24.14 mm 24.14 mm 24.14 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 32 32 32
功能数量 1 1 1
端子数量 68 68 68
字数 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
组织 512KX32 512KX32 512KX32
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QFF QFF QFF
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Qualified Qualified Qualified
座面最大高度 4.7 mm 4.7 mm 4.7 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
宽度 24.14 mm 24.14 mm 24.14 mm
Base Number Matches 1 1 1

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