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288MD-53-600: 产品描述Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共72页; 制造商Rambus Inc

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288MD-53-600概述

Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54

288MD-53-600规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	BGA
包装说明	,
针数	54
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
JESD-30 代码	R-PBGA-B54
内存密度	301989888 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	16MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
Base Number Matches	1

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描述	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, CENTER BONDED, MICRO, BGA-54
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
针数	54	54	54	54	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
JESD-30 代码	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54
内存密度	301989888 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	18	16	16	16	16	16	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54	54	54	54	54
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX18	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1

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