HCT SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | unknown |
系列 | HCT |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 19.05 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | J-K FLIP-FLOP |
最大频率@ Nom-Sup | 20000000 Hz |
最大I(ol) | 0.004 A |
位数 | 2 |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出极性 | COMPLEMENTARY |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 42 ns |
传播延迟(tpd) | 42 ns |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
总剂量 | 100k Rad(Si) V |
触发器类型 | NEGATIVE EDGE |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
5962R9573801VEC | 5962R9573801V9A | 5962R9573801VXC | |
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描述 | HCT SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16 | HCT SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, UUC16, 0.089 X 0.088 INCH, DIE-16 | HCT SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16, METAL SEALED, CERAMIC, FP-16 |
零件包装代码 | DIP | DIE | DFP |
包装说明 | METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 | DIE, | DFP, FL16,.3 |
针数 | 16 | 16 | 16 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
系列 | HCT | HCT | HCT |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 | R-XUUC-N16 | R-CDFP-F16 |
JESD-609代码 | e4 | e0 | e4 |
逻辑集成电路类型 | J-K FLIP-FLOP | J-K FLIP-FLOP | J-K FLIP-FLOP |
位数 | 2 | 2 | 2 |
功能数量 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 16 | 16 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
输出极性 | COMPLEMENTARY | COMPLEMENTARY | COMPLEMENTARY |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | UNSPECIFIED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP | DIE | DFP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | UNCASED CHIP | FLATPACK |
传播延迟(tpd) | 42 ns | 42 ns | 42 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | GOLD | TIN LEAD | GOLD |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | FLAT |
端子位置 | DUAL | UPPER | DUAL |
总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
触发器类型 | NEGATIVE EDGE | NEGATIVE EDGE | NEGATIVE EDGE |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
负载电容(CL) | 50 pF | - | 50 pF |
最大频率@ Nom-Sup | 20000000 Hz | - | 20000000 Hz |
最大I(ol) | 0.004 A | - | 0.004 A |
封装等效代码 | DIP16,.3 | - | FL16,.3 |
电源 | 5 V | - | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 42 ns | - | 42 ns |
筛选级别 | 38535V;38534K;883S | - | 38535V;38534K;883S |
座面最大高度 | 5.08 mm | - | 2.92 mm |
端子节距 | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
宽度 | 7.62 mm | - | 6.73 mm |
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