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5962-3829406MXX

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
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文件大小368KB,共68页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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5962-3829406MXX概述

Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962-3829406MXX规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明CERAMIC, DIP-28
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T28
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
E
F
DESCRIPTION
Added changes in accordance with NOR 5962-R085-93
Added device types 45, 46, and 47. Removed CAGE code 34168 for
case outline 8, and added cage code 34168 for case outline 9.
Editorial changes throughout.
Added device types 48-68. ICC1 changes for device types 18, 19,
46, and 47. Updated boilerplate. glg
Updated boilerplate paragraphs as part of a 5 year review. ksr
DATE (YR-MO-DA)
93-03-16
95-11-14
APPROVED
M. A. Frye
M. A. Frye
G
H
98-02-20
05-05-18
Raymond Monnin
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
H
35
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15
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H
16
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17
H
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H
18
REV
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19
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20
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21
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1
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2
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H
33
H
13
H
34
H
14
SHEET
PREPARED BY
Kenneth Rice
CHECKED BY
Charles Reusing
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY All
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
APPROVED BY
Michael A. Frye
DRAWING APPROVAL DATE
90-10-29
MICROCIRCUIT, MEMORY,
DIGITAL, CMOS, 8K x 8 STATIC
RANDOM ACCESS MEMORY
(SRAM), MONOLITHIC SILICON
SIZE
CAGE CODE
REVISION LEVEL
AMSC N/A
H
A
SHEET
67268
1 OF
48
5962-38294
DSCC FORM 2233
APR 97
5962-E335-05
【卖家当了】各种出,求关注
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