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CD5238E3

产品描述Zener Diode, 8.7V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DIE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小218KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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CD5238E3概述

Zener Diode, 8.7V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DIE-2

CD5238E3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明S-XXUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码S-XXUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压8.7 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED
最大电压容差20%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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• ZENER DIODE CHIPS
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N5221B THRU 1N5272B
• 0.5 WATT CAPABILITY WITH PROPER HEAT SINKING
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW
CD5221B
thru
CD5272B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
(Note 1)
VZ @ lZT
VOLTS
CD5221B
CD5222B
CD5223B
CD5224B
CD5225B
CD5226B
CD5227B
CD5228B
CD5229B
CD5230B
CD5231B
CD5232B
CD5233B
CD5234B
CD5235B
CD5236B
CD5237B
CD5238B
CD5239B
CD5240B
CD5241B
CD5242B
CD5243B
CD5244B
CD5245B
CD5246B
CD5247B
CD5248B
CD5249B
CD5250B
CD5251B
CD5252B
CD5253B
CD5254B
CD5255B
CD5256B
CD5257B
CD5258B
CD5259B
CD5260B
CD5261B
CD5262B
CD5263B
CD5264B
CD5265B
CD5266B
CD5267B
CD5268B
CD5269B
CD5270B
CD5271B
CD5272B
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
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6.2
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8.2
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30
33
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43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
MAXIMUM
ZENER IMPEDANCE
(Note 2)
ZZT @ lZT
ZZK@lZK=0.25mA
OHMS
OHMS
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
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16
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19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
500
750
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
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600
600
600
600
600
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700
800
900
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1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
2600
3000
MAXIMUM
REVERSE CURRENT
lR @ VR
23 MILS
15 MILS
TYPE
NUMBER
TEST
CURRENT
lZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.1
µ
A
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
VOLTS
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
76
84
BACKSIDE IS CATHODE
FIGURE 1
DESIGN DATA
METALLIZATION:
Top: (Anode)......................Al
Back: (Cathode)................Au
AL THICKNESS..............25,000
Å
Min
GOLD THICKNESS...
.......4,000
Å
Min
CHIP THICKNESS.............
.......10 Mils
CIRCUIT LAYOUT DATA:
For Zener operation, cathode
must be operated positive with
respect to anode.
TOLERANCES:
ALL
Dimensions + 2 mils
NOTES ON PAGE 158
6 LAKE STREET, LAWRENCE,
PHONE (978) 620-2600
WEBSITE: http://www.microsemi.com
M A S S A C H U S E T T S 01841
FAX (978) 689-0803
203
15 MILS
23 MILS
半导体品牌知名度问卷调查
活动详情>>半导体品牌知名度问卷调查 活动时间:2015年3月2日——3月23日 活动形式:认真填写调查问卷,我们随机抽取30名幸运网友,送出价值50元的京东E卡一张!(活动结束后统一发送)。 ......
EEWORLD社区 综合技术交流
关于SDRAM吞吐量(带宽的计算)?
请问有没有具体的计算公式?...
psd0208 FPGA/CPLD
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在IAR环境下 CC3100开发包的底板测试程序getting_started_with_wlan_station.eww 打不开,这是什么情况,求解答。出现下图所示的情况https://bbs.eeworld.com.cn/forum.php?mod=image&aid=3041 ......
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