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934070052115

产品描述MOSFET N-CH 60V MLFPAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小722KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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934070052115概述

MOSFET N-CH 60V MLFPAK

934070052115规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)21.1 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)36 A
最大漏源导通电阻0.019 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)143 A
参考标准AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

934070052115相似产品对比

934070052115 BUK7M19-60EX
描述 MOSFET N-CH 60V MLFPAK 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35.8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:19mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tc) 类型:N沟道
Reach Compliance Code compliant compliant
雪崩能效等级(Eas) 21.1 mJ 21.1 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 36 A 36 A
最大漏源导通电阻 0.019 Ω 0.019 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G4 R-PSSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 143 A 143 A
参考标准 AEC-Q101; IEC-60134 AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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