MOSFET N-CH 60V MLFPAK
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Reach Compliance Code | compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 21.1 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 36 A |
最大漏源导通电阻 | 0.019 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 143 A |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
934070052115 | BUK7M19-60EX | |
---|---|---|
描述 | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35.8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:19mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tc) 类型:N沟道 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 21.1 mJ | 21.1 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 36 A | 36 A |
最大漏源导通电阻 | 0.019 Ω | 0.019 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 | R-PSSO-G4 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 143 A | 143 A |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-60134 | AEC-Q101; IEC-60134 |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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