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71V3577S80BQGI8

产品描述Cache SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
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文件大小259KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V3577S80BQGI8概述

Cache SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

71V3577S80BQGI8规格参数

参数名称属性值
包装说明TBGA,
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间8 ns
其他特性FLOW THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm
Base Number Matches1
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