5962R9674201QEC,5962R9674201QEC pdf中文资料,5962R9674201QEC引脚图,5962R9674201QEC电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 信号电路> 5962R9674201QEC

5962R9674201QEC: 产品描述8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16; 产品类别模拟混合信号IC 信号电路; 文件大小85KB，共4页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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5962R9674201QEC概述

8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16

5962R9674201QEC规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP16,.3
针数	16
Reach Compliance Code	unknown
模拟集成电路 - 其他类型	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码	R-CDIP-T16
JESD-609代码	e4
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
信道数量	8
功能数量	1
端子数量	16
最大通态电阻 (Ron)	1500 Ω
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	+-15 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电流 (Isup)	2 mA
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
最长断开时间	600 ns
最长接通时间	600 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
总剂量	100k Rad(Si) V
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

5962R9674201QEC相似产品对比

	5962R9674201QEC	5962R9674201QXC	5962R9674201VEC
描述	8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16	8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDFP16	8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
零件包装代码	DIP	DFP	DIP
包装说明	DIP, DIP16,.3	DFP, FL16,.3	DIP, DIP16,.3
针数	16	16	16
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
模拟集成电路 - 其他类型	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码	R-CDIP-T16	R-CDFP-F16	R-CDIP-T16
JESD-609代码	e4	e4	e4
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V
信道数量	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	16	16	16
最大通态电阻 (Ron)	1500 Ω	1500 Ω	1500 Ω
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DFP	DIP
封装等效代码	DIP16,.3	FL16,.3	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE
电源	+-15 V	+-15 V	+-15 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度	5.08 mm	2.92 mm	5.08 mm
最大供电电流 (Isup)	2 mA	2 mA	2 mA
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	YES	NO
最长断开时间	600 ns	600 ns	600 ns
最长接通时间	600 ns	600 ns	600 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	GOLD	GOLD	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V
宽度	7.62 mm	6.73 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1

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