8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDFP16
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | DFP, FL16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 信道数量 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 1500 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 2.92 mm |
| 最大供电电流 (Isup) | 2 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 最长断开时间 | 600 ns |
| 最长接通时间 | 600 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 6.73 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962R9674201QXC | 5962R9674201VEC | 5962R9674201QEC | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDFP16 | 8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 | 8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16 |
| 零件包装代码 | DFP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DFP, FL16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 | R-CDIP-T16 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 信道数量 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 1500 Ω | 1500 Ω | 1500 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | FL16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 2.92 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电流 (Isup) | 2 mA | 2 mA | 2 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO |
| 最长断开时间 | 600 ns | 600 ns | 600 ns |
| 最长接通时间 | 600 ns | 600 ns | 600 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD | GOLD | GOLD |
| 端子形式 | FLAT | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 6.73 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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