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5082-3081

产品描述Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, GLASS, 15, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小12KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-3081概述

Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, GLASS, 15, 2 PIN

5082-3081规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压100 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容0.4 pF
标称二极管电容0.4 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻3.5 Ω
二极管电阻测试电流100 mA
二极管电阻测试频率100 MHz
二极管类型PIN DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
反向测试电压50 V
表面贴装NO
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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5082-3081
SILICON PIN DIODE
PACKAGE STYLE 15
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-3081
PIN Diode is
Designed for Low Power RF Switching
and Attenuating Applications.
MAXIMUM RATINGS
I
V
P
DISS
T
J
T
STG
T
SOLD
250 mA
100 V
250 mW @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +150 °C
-65 °C to +150 °C
260 °C for 5 sec.
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
R
V
F
τ
R
S
C
t
R
H
R
L
I
R
= 10
µA
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
I
F
= 100 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 50 V
I
F
= 10 µA
I
F
= 20 mA
I
R
= 250 mA
f = 100 MHz
f = 1.0 MHz
f =100 MHz
f = 100 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
100
1.0
2500
3.5
0.4
1500
8.0
UNITS
V
V
nS
pF
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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