IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | SON, SOLCC20/26,.35 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 80 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 4MX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | SON |
| 封装等效代码 | SOLCC20/26,.35 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 自我刷新 | NO |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| 514100A80M/BUAJC | 514100A90/BVAJC | 514100A70/BVAJC | 514100A70M/BUAJC | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC | IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC | IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | SON, SOLCC20/26,.35 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | SON, SOLCC20/26,.35 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 80 ns | 90 ns | 70 ns | 70 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N20 | R-XDIP-T18 | R-XDIP-T18 | R-XDSO-N20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 18 | 18 | 20 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 4MX1 | 4MX1 | 4MX1 | 4MX1 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | SON | DIP | DIP | SON |
| 封装等效代码 | SOLCC20/26,.35 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | SOLCC20/26,.35 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 自我刷新 | NO | NO | NO | NO |
| 最大待机电流 | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA | 0.08 mA | 0.1 mA | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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