514100A70/BVAJC概述

IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC

514100A70/BVAJC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1
端子数量	18
字数	4194304 words
字数代码	4000000
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	4MX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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514100A70/BVAJC相似产品对比

	514100A70/BVAJC	514100A90/BVAJC	514100A70M/BUAJC	514100A80M/BUAJC
描述	IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC	IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC	IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC	IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	SON, SOLCC20/26,.35	SON, SOLCC20/26,.35
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	70 ns	90 ns	70 ns	80 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDSO-N20	R-XDSO-N20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1	1	1	1
端子数量	18	18	20	20
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	4MX1	4MX1	4MX1	4MX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	SON	SON
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	SOLCC20/26,.35	SOLCC20/26,.35
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
自我刷新	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.1 mA	0.08 mA	0.1 mA	0.085 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1

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