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71258L35TCB

产品描述Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, 0.300 INCH, SIDEBRAZED, DIP-24
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文件大小360KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71258L35TCB概述

Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, 0.300 INCH, SIDEBRAZED, DIP-24

71258L35TCB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明0.300 INCH, SIDEBRAZED, DIP-24
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量24
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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