IRFP354概述

Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.35ohm, Id=14A)

IRFP354规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compli
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	14 A
最大漏极电流 (ID)	14 A
最大漏源导通电阻	0.35 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	190 W
最大功率耗散 (Abs)	190 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

烧写2808的问题: 烧写2808时出现这个提示框，高手看看是怎么回事，谢谢 http://qun.qq.com/cgi/svr/chatimg/get?pic={7C34679F-8253-94E1-E0AF-70609A628228}.jpg&gid=7391152&time=1269999789...; 安_然微控制器 MCU

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ