IRFBC20S: 产品描述Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小332KB，共10页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRFBC20S概述

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)

IRFBC20S规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compli
雪崩能效等级（Eas）	84 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.2 A
最大漏极电流 (ID)	2.2 A
最大漏源导通电阻	4.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	8 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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PD - 9.1014

PRELIMINARY

IRFBC20S/L

HEXFET

Power MOSFET

Surface Mount (IRFBC20S)

Low-profile through-hole (IRFBC20L)

Available in Tape & Reel (IRFBC20S)

Dynamic dv/dt Rating

150°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

DSS

= 600V

DS(on)

= 4.4Ω

= 2.2A

Description

Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the

best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D

Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes

up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The D

Pak is suitable for high

current applications because of its low internal connection resistance and can

dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application. The through-hole version

(IRFBC20L) is available for low-profile applications.

D 2 Pak

T O -2 6 2

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv/dt

STG

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Max.

2.2

1.4

8.0

3.1

0.40

± 20

2.2

5.0

3.0

-55 to + 150

300 (1.6mm from case )

Units

W/°C

V/ns

°C

Thermal Resistance

Parameter

θJC

θJA

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**

Typ.

–––

Max.

2.5

Units

°C/W

7/22/97

IRFBC20S相似产品对比

	IRFBC20S	IRFBC20L
描述	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli
雪崩能效等级（Eas）	84 mJ	84 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.2 A	2.2 A
最大漏极电流 (ID)	2.2 A	2.2 A
最大漏源导通电阻	4.4 Ω	4.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	8 A	8 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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