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IRF841: 产品描述8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小152KB，共5页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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IRF841概述

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRF841规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	SFM
包装说明	TO-220, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
雪崩能效等级（Eas）	510 mJ
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	0.85 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRF841相似产品对比

	IRF841	MTM7N50	MTM7N45	IRF440	IRF440-443	IRF441	IRF442	IRF443	IRF842	IRF843
描述	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
元件数量	1	1	1	-	1	1	1	1	-	1
端子数量	3	3	3	-	3	3	3	3	-	3
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-孔	THROUGH-孔	-	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	-	THROUGH-孔
端子位置	SINGLE	单一的	单一的	-	单一的	单一的	单一的	单一的	-	单一的
晶体管应用	SWITCHING	开关	开关	-	开关	开关	开关	开关	-	开关
晶体管元件材料	SILICON	硅	硅	-	硅	硅	硅	硅	-	硅
最小击穿电压	-	500 V	500 V	-	500 V	500 V	500 V	500 V	-	500 V
状态	-	TRANSFERRED	TRANSFERRED	-	TRANSFERRED	TRANSFERRED	TRANSFERRED	TRANSFERRED	-	TRANSFERRED
包装形状	-	矩形的	矩形的	-	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	-	矩形的
包装尺寸	-	凸缘安装	凸缘安装	-	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	-	凸缘安装
端子涂层	-	锡铅	锡铅	-	锡铅	锡铅	锡铅	锡铅	-	锡铅
包装材料	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-	塑料/环氧树脂
结构	-	单一的	单一的	-	单一的	单一的	单一的	单一的	-	单一的
壳体连接	-	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN
通道类型	-	N沟道	N沟道	-	N沟道	N沟道	N沟道	N沟道	-	N沟道
场效应晶体管技术	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	-	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	-	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	-	ENHANCEMENT
晶体管类型	-	通用电源	通用电源	-	通用电源	通用电源	通用电源	通用电源	-	通用电源
最大漏电流	-	8 A	8 A	-	8 A	8 A	8 A	8 A	-	8 A
最大漏极导通电阻	-	0.8500 ohm	0.8500 ohm	-	0.8500 ohm	0.8500 ohm	0.8500 ohm	0.8500 ohm	-	0.8500 ohm
最大漏电流脉冲	-	32 A	32 A	-	32 A	32 A	32 A	32 A	-	32 A

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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