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IRF440-443

产品描述8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小152KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRF440-443概述

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRF440-443规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压500 V
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层锡 铅
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流8 A
最大漏极导通电阻0.8500 ohm
最大漏电流脉冲32 A

IRF440-443相似产品对比

IRF440-443 MTM7N50 MTM7N45 IRF440 IRF441 IRF442 IRF443 IRF842 IRF841 IRF843
描述 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量 3 3 3 - 3 3 3 - 3 3
最小击穿电压 500 V 500 V 500 V - 500 V 500 V 500 V - - 500 V
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED - TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED - - TRANSFERRED
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的 - 矩形的 矩形的 矩形的 - - 矩形的
包装尺寸 凸缘安装 凸缘安装 凸缘安装 - 凸缘安装 凸缘安装 凸缘安装 - - 凸缘安装
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-孔 - THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-孔 - THROUGH-HOLE THROUGH-孔
端子涂层 锡 铅 锡 铅 锡 铅 - 锡 铅 锡 铅 锡 铅 - - 锡 铅
端子位置 单一的 单一的 单一的 - 单一的 单一的 单一的 - SINGLE 单一的
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - - 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 单一的 - 单一的 单一的 单一的 - - 单一的
壳体连接 DRAIN DRAIN DRAIN - DRAIN DRAIN DRAIN - - DRAIN
元件数量 1 1 1 - 1 1 1 - 1 1
晶体管应用 开关 开关 开关 - 开关 开关 开关 - SWITCHING 开关
晶体管元件材料 - - SILICON
通道类型 N沟道 N沟道 N沟道 - N沟道 N沟道 N沟道 - - N沟道
场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR - 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR - - 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT - ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT - - ENHANCEMENT
晶体管类型 通用电源 通用电源 通用电源 - 通用电源 通用电源 通用电源 - - 通用电源
最大漏电流 8 A 8 A 8 A - 8 A 8 A 8 A - - 8 A
最大漏极导通电阻 0.8500 ohm 0.8500 ohm 0.8500 ohm - 0.8500 ohm 0.8500 ohm 0.8500 ohm - - 0.8500 ohm
最大漏电流脉冲 32 A 32 A 32 A - 32 A 32 A 32 A - - 32 A

 
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