8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
8 A, 500 V, 0.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 500 V |
状态 | TRANSFERRED |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 8 A |
最大漏极导通电阻 | 0.8500 ohm |
最大漏电流脉冲 | 32 A |
IRF440-443 | MTM7N50 | MTM7N45 | IRF440 | IRF441 | IRF442 | IRF443 | IRF842 | IRF841 | IRF843 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | - | 3 | 3 | 3 | - | 3 | 3 |
最小击穿电压 | 500 V | 500 V | 500 V | - | 500 V | 500 V | 500 V | - | - | 500 V |
状态 | TRANSFERRED | TRANSFERRED | TRANSFERRED | - | TRANSFERRED | TRANSFERRED | TRANSFERRED | - | - | TRANSFERRED |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | - | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | - | - | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 | 凸缘安装 | 凸缘安装 | - | 凸缘安装 | 凸缘安装 | 凸缘安装 | - | - | 凸缘安装 |
端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | - | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-孔 |
端子涂层 | 锡 铅 | 锡 铅 | 锡 铅 | - | 锡 铅 | 锡 铅 | 锡 铅 | - | - | 锡 铅 |
端子位置 | 单一的 | 单一的 | 单一的 | - | 单一的 | 单一的 | 单一的 | - | SINGLE | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | - | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | - | - | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 | 单一的 | 单一的 | - | 单一的 | 单一的 | 单一的 | - | - | 单一的 |
壳体连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | - | DRAIN | DRAIN | DRAIN | - | - | DRAIN |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
晶体管应用 | 开关 | 开关 | 开关 | - | 开关 | 开关 | 开关 | - | SWITCHING | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 | 硅 | 硅 | - | 硅 | 硅 | 硅 | - | SILICON | 硅 |
通道类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 | - | - | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | - | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | - | - | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 | 通用电源 | 通用电源 | - | 通用电源 | 通用电源 | 通用电源 | - | - | 通用电源 |
最大漏电流 | 8 A | 8 A | 8 A | - | 8 A | 8 A | 8 A | - | - | 8 A |
最大漏极导通电阻 | 0.8500 ohm | 0.8500 ohm | 0.8500 ohm | - | 0.8500 ohm | 0.8500 ohm | 0.8500 ohm | - | - | 0.8500 ohm |
最大漏电流脉冲 | 32 A | 32 A | 32 A | - | 32 A | 32 A | 32 A | - | - | 32 A |
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