8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
8 A, 500 V, 0.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 3 |
| 最小击穿电压 | 500 V |
| 状态 | TRANSFERRED |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | THROUGH-孔 |
| 端子涂层 | 锡 铅 |
| 端子位置 | 单一的 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | 单一的 |
| 壳体连接 | DRAIN |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | 开关 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 |
| 场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | 通用电源 |
| 最大漏电流 | 8 A |
| 最大漏极导通电阻 | 0.8500 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 32 A |
| IRF8401111 | IRF842 | IRF841 | IRF843 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | 单一的 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 晶体管元件材料 | 硅 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | - | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | - | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | - | unknow | unknown | unknow |
| 外壳连接 | - | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | - | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | - | 500 V | 450 V | 450 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 7 A | 8 A | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 7 A | 8 A | 7 A |
| 最大漏源导通电阻 | - | 1.1 Ω | 0.85 Ω | 1.1 Ω |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | - | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | - | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | - | e0 | e0 | e0 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | - | 125 W | 125 W | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 28 A | 32 A | 28 A |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | NO | NO | NO |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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