Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | LBGA, BGA256,16X16,40 |
| 针数 | 256 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991 |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| 其他特性 | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 17 mm |
| 内存密度 | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 256 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA256,16X16,40 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.5 mm |
| 最大待机电流 | 0.04 A |
| 最小待机电流 | 3.15 V |
| 最大压摆率 | 0.675 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 17 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IDT70V7319S133BCI | IDT70V7319S166BCI | |
|---|---|---|
| 描述 | Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, BGA-256 | Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | LBGA, BGA256,16X16,40 | LBGA, BGA256,16X16,40 |
| 针数 | 256 | 256 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991 | 3A991 |
| 最长访问时间 | 15 ns | 12 ns |
| 其他特性 | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 166 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B256 | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 17 mm | 17 mm |
| 内存密度 | 4718592 bit | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 256 | 256 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 256KX18 | 256KX18 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA256,16X16,40 | BGA256,16X16,40 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.5 mm | 1.5 mm |
| 最大待机电流 | 0.04 A | 0.04 A |
| 最小待机电流 | 3.15 V | 3.15 V |
| 最大压摆率 | 0.675 mA | 0.83 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 |
| 宽度 | 17 mm | 17 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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