电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

5082-2811

产品描述Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小14KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
下载文档 详细参数 全文预览

5082-2811在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
5082-2811 - - 点击查看 点击购买

5082-2811概述

Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon,

5082-2811规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容1.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.41 V
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码O-XALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.02 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压15 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
5082-2811
SCHOTTKY BARRIER DIODE
PACKAGE STYLE 01
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2811
is a Silicon Small
Signal Schottky Diode Designed for
General Purpose UHF/VHF Detection
and Pulse Applications. Color Band
Indicates Cathode.
MAXIMUM RATINGS
I
V
P
DISS
T
J
T
STG
20 mA
15 V
250 mW @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +200
O
C
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
R
I
R
V
F
C
t
I
R
= 10
µA
V
R
= 8.0 V
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 20 mA
V
R
= 0 V
I
F
= 20 mA
T
C
= 25
O
C
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM
15
TYPICAL
MAXIMUM
100
410
1000
UNITS
V
µ
A
mV
pF
pS
f = 1.0 MHz
1.2
100
τ
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without
REV. A
1/1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2568  773  2485  1237  2835  35  33  38  25  50 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved