NTF3055-160T3,NTF3055-160T3 pdf中文资料,NTF3055-160T3引脚图,NTF3055-160T3电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NTF3055-160T3

NTF3055-160T3: 产品描述Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小57KB，共8页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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NTF3055-160T3概述

Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223

NTF3055-160T3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	TO-261
包装说明	CASE 318E-04, 4 PIN
针数	4
制造商包装代码	CASE 318E-04
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	65 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2 A
最大漏极电流 (ID)	2 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

NTF3055-160T3相似产品对比

	NTF3055-160T3	NTF3055-160	NTF3055-160T1	NTF3055-160T3LF
描述	Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223	Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223	Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223	Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合
零件包装代码	TO-261	-	TO-261	TO-261
包装说明	CASE 318E-04, 4 PIN	-	CASE 318E-04, 4 PIN	CASE 318E-04, 4 PIN
针数	4	-	4	4
制造商包装代码	CASE 318E-04	-	CASE 318E-04	CASE 318E-04
Reach Compliance Code	_compli	-	_compli	not_compliant
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	65 mJ	-	65 mJ	65 mJ
外壳连接	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	-	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2 A	-	2 A	2 A
最大漏极电流 (ID)	2 A	-	2 A	2 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω	-	0.16 Ω	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261	-	TO-261	TO-261
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0	-	e0	e0
湿度敏感等级	1	-	1	1
元件数量	1	-	1	1
端子数量	4	-	4	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	-	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.3 W	-	1.3 W	1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6 A	-	6 A	6 A
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	-	1	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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