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HYM324020GS-50

产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
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文件大小59KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYM324020GS-50概述

Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72

HYM324020GS-50规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度16
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度22.86 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.008 A
最大压摆率0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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4M x 32-Bit Dynamic RAM Module
HYM 324020S/GS-50/-60
Advanced Information
4 194 304 words by 32-bit organization (alternative 8 388 608 words by 16-bit)
Fast access and cycle time
50 ns access time
90 ns cycle time (-50 version)
60 ns access time
110 ns cycle time (-60 version)
Fast page mode capability
35 ns cycle time (-50 version)
40 ns cycle time (-60 version)
Single + 5 V (± 10 %) supply
Low power dissipation
max. 5280 mW active (HYM 324020S/GS-50)
max. 4840 mW active (HYM 324020S/GS-60)
CMOS – 44 mW standby
TTL
–88 mW standby
CAS-before-RAS refresh
RAS-only-refresh
Hidden-refresh
8 decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clocks fully TTL compatible
72 pin Single in-Line Memory Module with 22.86 mm (900 mil) height
Utilizes eight 4Mx4-DRAMs in 300mil wide SOJ packages
2048 refresh cycles / 32 ms
Optimized for use in byte-write non-parity applications
Tin-Lead contact pads (S - version)
Gold contact pads (GS - version)
Semiconductor Group
1
12.95

HYM324020GS-50相似产品对比

HYM324020GS-50 HYM324020S-60 HYM324020S-50 HYM324020GS-60
描述 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72
针数 72 72 72 72
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 50 ns 60 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度 16 16 16 16
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048
座面最大高度 22.86 mm 22.86 mm 22.86 mm 22.86 mm
自我刷新 NO NO NO NO
最大待机电流 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A
最大压摆率 0.96 mA 0.88 mA 0.96 mA 0.88 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1 1

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