CY2147-35DC概述

Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18

CY2147-35DC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP18,.3
针数	18
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T18
JESD-609代码	e0
长度	22.606 mm
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	18
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.025 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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CY2147-35DC相似产品对比

	CY2147-35DC	CY2147-35PC	CY2147-45DC	CY2147-45DMB	CY2147-55DC	CY2147-55DMB	CY2147-55PC	CY2147-45PC
描述	Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18	Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	Standard SRAM, 4KX1, 45ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18	Standard SRAM, 4KX1, 45ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18	Standard SRAM, 4KX1, 55ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18	Standard SRAM, 4KX1, 55ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18	Standard SRAM, 4KX1, 55ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	Standard SRAM, 4KX1, 45ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	0.300 INCH, CERDIP-18	0.300 INCH, CERDIP-18	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
针数	18	18	18	18	18	18	18	18
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99
最长访问时间	35 ns	35 ns	45 ns	45 ns	55 ns	55 ns	55 ns	45 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T18	R-PDIP-T18	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18	R-PDIP-T18	R-PDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22.606 mm	22.733 mm	22.606 mm	22.606 mm	22.606 mm	22.606 mm	22.733 mm	22.733 mm
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	18	18	18	18	18
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	4.826 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	4.826 mm	4.826 mm
最大待机电流	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.125 mA	0.125 mA	0.125 mA	0.14 mA	0.125 mA	0.14 mA	0.125 mA	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
厂商名称	-	-	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)

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