datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C251-65PC
PDF数据手册
文档预览

CY7C251-65PC

产品描述OTP ROM, 16KX8, 65ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小283KB，共10页
制造商Cypress(赛普拉斯)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CY7C251-65PC概述

OTP ROM, 16KX8, 65ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

CY7C251-65PC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间65 ns
其他特性POWER SWITCHED PROM
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.4965 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.82 mm
最大待机电流0.03 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1CY 7C25 4
CY7C251
CY7C254
16K x 8 Power Switched and
Reprogrammable PROM
Features
• CMOS for optimum speed/power
• Windowed for reprogrammability
• High speed
— 45 ns
• Low power
— 550 mW (commercial)
— 660 mW (military)
• Super low standby power (7C251)
— Less than 165 mW when deselected
•
•
•
•
•
•
— Fast access: 50 ns
EPROM technology 100% programmable
Slim 300-mil or standard 600-mil packaging available
5V
±10%
V
CC
, commercial and military
TTL-compatible I/O
Direct replacement for bipolar PROMs
Capable of withstanding >2001V static discharge
Functional Description
The CY7C251 and CY7C254 are high-performance
16,384-word by 8-bit CMOS PROMs. When deselected, the
CY7C251 automatically powers down into a low-power
stand-by mode. It is packaged in a 300-mil-wide package. The
7C254 is packaged in a 600-mil-wide package and does not
power down when deselected. The 7C251 and 7C254 are
available in reprogrammable packages equipped with an era-
sure window; when exposed to UV light, these PROMs are
erased and can then be reprogrammed. The memory cells uti-
lize proven EPROM floating gate technology and byte-wide
intelligent programming algorithms.
The CY7C251 and CY7C254 are plug-in replacements for bi-
polar devices and offer the advantages of lower power, supe-
rior performance, and high programming yield. The EPROM
cell requires only 12.5V for the super voltage, and low current
requirements allow for gang programming. The EPROM cells
allow each memory location to be tested 100% because each
location is written into, erased, and repeatedly exercised prior
to encapsulation. Each PROM is also tested for AC perfor-
mance to guarantee that after customer programming, the
product will meet DC and AC specification limits.
Reading is accomplished by placing all four chip selects in
their active states. The contents of the memory location ad-
dressed by the address lines (A
0
– A
13
) will become available on
the output lines (O
0
– O
7
).
Logic Block Diagram
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
POWER-DOWN
(7C251)
COLUMN
ADDRESS
Y
ADDRESS
DECODER
ROW
ADDRESS
X
512 x 256
PROGRAMABLE
ARRAY
8 x 1 OF 32
MULTIPLEXER
Pin Configurations
O
7
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
DIP/Flatpack
1
2
3
4
5
6 7C251
7
8
9 7C254
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
10
A
11
A
12
A
13
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
6
O
5
O
4
O
3
C251-2
LCC
O
2
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
O
1
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
7C251
27
7
26
8
25
9
24
10
7C254
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
A
12
A
13
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
NC
O
7
O
6
O
1
O
0
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
C251-1
C251-3
Cypress Semiconductor Corporation
•
3901 North First Street
•
San Jose
• CA 95134 •
408-943-2600
November 1986 – Revised December 1992

CY7C251-65PC相似产品对比

CY7C251-65PC CY7C251-55PC CY7C254-55DMB CY7C251-65QMB CY7C254-65QMB CY7C254-65WMB CY7C254-65WC CY7C254-45PC CY7C254-55WC
描述 OTP ROM, 16KX8, 65ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 OTP ROM, 16KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 OTP ROM, 16KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, LCC-32 UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, LCC-32 UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 UVPROM, 16KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP QFJ QFJ DIP DIP DIP DIP
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.600 INCH, CERDIP-28 LCC-32 LCC-32 0.600 INCH, CERDIP-28 0.600 INCH, CERDIP-28 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.600 INCH, CERDIP-28
针数 28 28 28 32 32 28 28 28 28
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 65 ns 55 ns 55 ns 65 ns 65 ns 65 ns 65 ns 45 ns 55 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-CDIP-T28 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-PDIP-T28 R-GDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 35.4965 mm 35.4965 mm 37.338 mm 13.97 mm 13.97 mm 37.338 mm 37.338 mm 37.211 mm 37.338 mm
内存密度 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM OTP ROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 32 32 28 28 28 28
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP QCCN QCCN DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.6 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.82 mm 4.82 mm 5.715 mm 2.794 mm 2.794 mm 5.715 mm 5.715 mm 5.08 mm 5.715 mm
最大待机电流 0.03 A 0.03 A 0.12 A 0.035 A 0.12 A 0.12 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最大压摆率 0.1 mA 0.1 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES YES NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 15.24 mm 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)

推荐资源

两级电机调速主电路及电平指示电路

改变次级双绕组变压器输出电压的电路图之一

光学断续器双输出电路

LA5511直流马达速度控制电路

DMAl0整流模块结构图

电脑主板电路图 820 1_46

器件捷径:   E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

  1. MALREKS20FG347D00K
  2. XTL1020P
  3. 7-2266599-7
  4. C323C152K5R5TA
  5. DSC0805-196RJT1
  6. 510CCA1M00250AAGR
  7. ACCW20LTEB510K/101M
  8. DM3040-7PD2AFU
  9. 1.5SMC220CT/R7
  10. MPP105J4131018LC
  11. SDCL1005C11NJTDF
  12. 0201WMF1072TEE

开源项目推荐更多

  1. A6263 受保护 LED 阵列驱动器的典型应用
  2. 具有跟踪功能的 LTM4647EY 6V 至 15V 输入、1.0V 和 1.2V 输出的典型应用电路
  3. MPC86XADS、MPC8xx 参考板，基于 MPC860P MPU PowerQUICC MPC8xx 处理器
  4. TWR-MCF51JG: ColdFire+ MCF51JX塔式系统模块
  5. LT1086CT-3.3 用于遥感的低压差正稳压器的典型应用
  6. LTC1059 高性能开关电容器通用滤波器的典型应用
  7. DER-720 - 使用带集成二极管的 HiperPFS-4 的 275 W PFC 前端
  8. LT6656BCDC-1.25、1.25V 升压输出电流电压基准的典型应用
  9. EVAL-AD5310RDBZ，用于 AD5310R 10 位、单通道、电压输出 DAC 的评估板
  10. LT1021BCN8-10 由电流源驱动的负分流基准的典型应用

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  3. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  4. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  5. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  6. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  7. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  8. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  9. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  10. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！

热门文章更多

  1. LCD驱动芯片——BL55072A驱动程序
  2. Exynos4412 所用内存 —— DDR2
  3. 三代Moto Razr可折叠手机研发中 采用“星轨转轴设计”
  4. 万用表怎么测量电池容量_万用表怎么测量12v电瓶
  5. FreeRTOS笔记（二）
  6. SWIR市场等待游戏规则的改变者
  7. 深槽式异步电动机改善原理 深槽式异步电动机可以改善什么性能
  8. 开关磁阻电动机的运行特性

技术资料推荐更多

  1. 一种高效率同步整流升压DC_DC变换器设计研究
  2. 利用L4981B实现开关频率调制的变频空调
  3. S7-200应用快速入门集锦
  4. 数码管显示0-9999Hz频率计
  5. 反激式DC-DC电源的集成化研究
  6. Raspberry_Pi用户指南-英
  7. 日本工业标准--印制线路板通则-1
  8. 新能源汽车电驱系统——车辆控制器
  9. CMOS模拟IP线性集成电路
  10. SG3842G省电设计技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2496  638  42  2779  2501  29  43  8  27  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved