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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C251-55PC
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CY7C251-55PC

产品描述OTP ROM, 16KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小283KB，共10页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C251-55PC概述

OTP ROM, 16KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

CY7C251-55PC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
其他特性POWER SWITCHED PROM
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.4965 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.82 mm
最大待机电流0.03 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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1CY 7C25 4
CY7C251
CY7C254
16K x 8 Power Switched and
Reprogrammable PROM
Features
• CMOS for optimum speed/power
• Windowed for reprogrammability
• High speed
— 45 ns
• Low power
— 550 mW (commercial)
— 660 mW (military)
• Super low standby power (7C251)
— Less than 165 mW when deselected
•
•
•
•
•
•
— Fast access: 50 ns
EPROM technology 100% programmable
Slim 300-mil or standard 600-mil packaging available
5V
±10%
V
CC
, commercial and military
TTL-compatible I/O
Direct replacement for bipolar PROMs
Capable of withstanding >2001V static discharge
Functional Description
The CY7C251 and CY7C254 are high-performance
16,384-word by 8-bit CMOS PROMs. When deselected, the
CY7C251 automatically powers down into a low-power
stand-by mode. It is packaged in a 300-mil-wide package. The
7C254 is packaged in a 600-mil-wide package and does not
power down when deselected. The 7C251 and 7C254 are
available in reprogrammable packages equipped with an era-
sure window; when exposed to UV light, these PROMs are
erased and can then be reprogrammed. The memory cells uti-
lize proven EPROM floating gate technology and byte-wide
intelligent programming algorithms.
The CY7C251 and CY7C254 are plug-in replacements for bi-
polar devices and offer the advantages of lower power, supe-
rior performance, and high programming yield. The EPROM
cell requires only 12.5V for the super voltage, and low current
requirements allow for gang programming. The EPROM cells
allow each memory location to be tested 100% because each
location is written into, erased, and repeatedly exercised prior
to encapsulation. Each PROM is also tested for AC perfor-
mance to guarantee that after customer programming, the
product will meet DC and AC specification limits.
Reading is accomplished by placing all four chip selects in
their active states. The contents of the memory location ad-
dressed by the address lines (A
0
– A
13
) will become available on
the output lines (O
0
– O
7
).
Logic Block Diagram
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
POWER-DOWN
(7C251)
COLUMN
ADDRESS
Y
ADDRESS
DECODER
ROW
ADDRESS
X
512 x 256
PROGRAMABLE
ARRAY
8 x 1 OF 32
MULTIPLEXER
Pin Configurations
O
7
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
DIP/Flatpack
1
2
3
4
5
6 7C251
7
8
9 7C254
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
10
A
11
A
12
A
13
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
6
O
5
O
4
O
3
C251-2
LCC
O
2
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
O
1
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
7C251
27
7
26
8
25
9
24
10
7C254
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
A
12
A
13
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
NC
O
7
O
6
O
1
O
0
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
C251-1
C251-3
Cypress Semiconductor Corporation
•
3901 North First Street
•
San Jose
• CA 95134 •
408-943-2600
November 1986 – Revised December 1992

CY7C251-55PC相似产品对比

CY7C251-55PC CY7C251-65PC CY7C254-55DMB CY7C251-65QMB CY7C254-65QMB CY7C254-65WMB CY7C254-65WC CY7C254-45PC CY7C254-55WC
描述 OTP ROM, 16KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 OTP ROM, 16KX8, 65ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 OTP ROM, 16KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, LCC-32 UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, LCC-32 UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 UVPROM, 16KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP QFJ QFJ DIP DIP DIP DIP
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.600 INCH, CERDIP-28 LCC-32 LCC-32 0.600 INCH, CERDIP-28 0.600 INCH, CERDIP-28 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.600 INCH, CERDIP-28
针数 28 28 28 32 32 28 28 28 28
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 55 ns 65 ns 55 ns 65 ns 65 ns 65 ns 65 ns 45 ns 55 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-CDIP-T28 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-PDIP-T28 R-GDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 35.4965 mm 35.4965 mm 37.338 mm 13.97 mm 13.97 mm 37.338 mm 37.338 mm 37.211 mm 37.338 mm
内存密度 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM OTP ROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 32 32 28 28 28 28
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP QCCN QCCN DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.6 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.82 mm 4.82 mm 5.715 mm 2.794 mm 2.794 mm 5.715 mm 5.715 mm 5.08 mm 5.715 mm
最大待机电流 0.03 A 0.03 A 0.12 A 0.035 A 0.12 A 0.12 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最大压摆率 0.1 mA 0.1 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES YES NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 15.24 mm 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
厂商名称 - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)

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