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CE1F3P

产品描述on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
文件大小127KB,共4页
制造商NEC ( Renesas )
官网地址https://www2.renesas.cn/zh-cn/
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CE1F3P概述

on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching

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'$7$ 6+((7
&203281' 75$16,6725
&()3
RQFKLS UHVLVWRU 131 VLOLFRQ HSLWD[LDO WUDQVLVWRU
)RU PLGVSHHG VZLWFKLQJ
The CE1F3P is a transistor of on-chip high hFE resistor
incorporating dumper diode in collector to emitter and zener diode
in collector to base as protect elements. This transistor is ideal for
actuator drives of OA equipments and electric equipments.
* PW≤10 ms, duty cycle≤50 %
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
FEATURES
• On-chip zener diode for surge voltage absorption
• On-chip bias resistor: R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
• Low power consumption during driving:
V
OL
= 0.12 V @V
I
= 5.0 V, I
C
= 0.5 A
• On-chip dumper diode for reverse cable
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (Pulse)
Base current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
*
I
B(DC)
P
T
T
j
T
stg
Ratings
60±10
60±10
15
±2.0
±3.0
0.03
1.0
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Colletor to emitter voltage
Collector cutoff current
DC current gain
DC current gain
DC current gain
Low level output voltage
Low level input voltage
Input resistance 1
Input resistance 2
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
V
CEO(SUS)
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
t
on
t
stg
t
f
I
C
= 1.0 A
I
BI
=
−I
B2
= 10 mA
V
CC
= 20 V, R
L
= 20
Conditions
I
C
= 2.0 A, I
B
= 5.0 Ma, L = 6.0 mH
V
CB
= 40 V, I
E
= 0
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 0.2 A
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 1.0 A
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 2.0 A
V
I
= 5.0 V, I
C
= 0.5 A
V
CE
= 12 V, I
C
= 100
µ
A
1.54
7.0
700
1000
500
1200
1600
1200
0.12
0.5
2.2
10.0
0.4
1.4
0.5
0.3
0.4
2.86
13.0
3000
MIN.
50
TYP.
60
100
MAX.
Unit
V
nA
V
V
kΩ
kΩ
µ
s
µ
s
µ
s
** Pulse test PW
350
µ
s, duty cycle
2 %
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
'RFXPHQW 1R '(-9'6
'DWH 3XEOLVKHG $SULO  1 &3 .

3ULQWHG LQ -DSDQ
©
2002
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