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IS62LV1024L-45Z

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32
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文件大小739KB,共15页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS62LV1024L-45Z概述

Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32

IS62LV1024L-45Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明TSSOP-32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度11 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP32,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度6.1 mm
Base Number Matches1

IS62LV1024L-45Z相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32 Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32 Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32 Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32 Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32 Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 TSSOP-32 TSSOP-32 TSSOP-32 TSSOP-32 TSSOP-32 TSSOP-32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 45 ns 45 ns 70 ns 35 ns 35 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSSOP TSSOP TSSOP TSSOP TSSOP
封装等效代码 TSSOP32,.3 TSSOP32,.3 TSSOP32,.3 TSSOP32,.3 TSSOP32,.3 TSSOP32,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.00003 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00003 A 0.00005 A 0.00003 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.05 mA 0.06 mA 0.05 mA 0.055 mA 0.065 mA 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 6.1 mm 6.1 mm 6.1 mm 6.1 mm 6.1 mm 6.1 mm
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